Адмиттансные характеристики nBn-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.]
Material type:
ArticleSubject(s): молекулярно-лучевая эпитаксия | адмиттанс | нагрев | эквивалентные схемы | напряжение смещенияGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 62, № 5. С. 77-85Abstract: Впервые экспериментально исследован адмиттанс nBn-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, в широком диапазоне частот и температур. Состав CdTe в барьерном слое исследованных образцов изменялся от от 0.74 до 0.83, а толщина этого слоя – от 210 до 300 нм. Экспериментальные частотные зависимости адмиттанса nBn-структур хорошо согласуются с результатами расчета при использовании метода эквивалентных схем. Предложенная эквивалентная схема состоит из двух последовательно соединенных цепочек, каждая из которых содержит параллельно включенные емкость и сопротивление. Изучено изменение значений элементов эквивалентной схемы при нагреве от 9 до 300 К, а также при подаче напряжения смещения. Впервые показано, что освещение nBn-структур на основе HgCdTe излучением с длиной волны 0.91 мкм вызывает релаксацию значений параметров эквивалентной схемы в течение сотен минут после выключения подсветки. Обсуждаются механизмы, ответственные за элементы эквивалентной схемы, а также особенности зависимостей адмиттанса при различных параметрах барьерных слоев.
Библиогр.: 38 назв.
Ограниченный доступ
Впервые экспериментально исследован адмиттанс nBn-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, в широком диапазоне частот и температур. Состав CdTe в барьерном слое исследованных образцов изменялся от от 0.74 до 0.83, а толщина этого слоя – от 210 до 300 нм. Экспериментальные частотные зависимости адмиттанса nBn-структур хорошо согласуются с результатами расчета при использовании метода эквивалентных схем. Предложенная эквивалентная схема состоит из двух последовательно соединенных цепочек, каждая из которых содержит параллельно включенные емкость и сопротивление. Изучено изменение значений элементов эквивалентной схемы при нагреве от 9 до 300 К, а также при подаче напряжения смещения. Впервые показано, что освещение nBn-структур на основе HgCdTe излучением с длиной волны 0.91 мкм вызывает релаксацию значений параметров эквивалентной схемы в течение сотен минут после выключения подсветки. Обсуждаются механизмы, ответственные за элементы эквивалентной схемы, а также особенности зависимостей адмиттанса при различных параметрах барьерных слоев.
There are no comments on this title.