Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN И. А. Прудаев, В. В. Копьев, И. С. Романов, В. Л. Олейник
Material type:
ArticleOther title: The influence of ballistic overflow on temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes [Parallel title]Subject(s): квантовый выход | нитрид индия-галлия | нитрид галлия | светодиоды | множественные квантовые ямыGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Физика и техника полупроводников Т. 51, вып. 2. С. 240-246Abstract: В работе исследованы зависимости квантового выхода от температуры и уровня возбуждения для светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN. Эксперимент проводился для двух режимов возбуждения люминесценции. Сравнение результатов, полученных при фото- и электролюминесценции, показало, что в области высокой плотности тока наблюдаются дополнительные низкотемпературные потери (дополнительные к потерям, связанным с ожерекомбинацией). Это обусловливает инверсию температурной зависимости квантового выхода при температурах меньше 220 300 K. В результате анализа установлено, что потери связаны с утечкой электронов из активной области светодиода. Для объяснения экспериментальных данных привлечена модель баллистической утечки. Результаты моделирования качественно согласуются с экспериментальными зависимостями квантового выхода от температуры и плотности тока.
Библиогр.: 34 назв.
В работе исследованы зависимости квантового выхода от температуры и уровня возбуждения для светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN. Эксперимент проводился для двух режимов возбуждения люминесценции. Сравнение результатов, полученных при фото- и электролюминесценции, показало, что в области высокой плотности тока наблюдаются дополнительные низкотемпературные потери (дополнительные к потерям, связанным с ожерекомбинацией). Это обусловливает инверсию температурной зависимости квантового выхода при температурах меньше 220 300 K. В результате анализа установлено, что потери связаны с утечкой электронов из активной области светодиода. Для объяснения экспериментальных данных привлечена модель баллистической утечки. Результаты моделирования качественно согласуются с экспериментальными зависимостями квантового выхода от температуры и плотности тока.
There are no comments on this title.