Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 29 results.

    1.
    Применение короткопериодных сверхрешеток в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN В. В. Копьев, И. С. Романов, И. А. Прудаев

    by Копьев, Виктор Васильевич | Романов, Иван Сергеевич | Прудаев, Илья Анатольевич.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Application of short-period superlattices in InGaN/GaN light-emitting diodes.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    2.
    Влияние сверхрешетки на внутреннюю квантовую эффективность светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN И. С. Романов, И. А. Прудаев, А. А. Мармалюк и др.

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Романов, Иван Сергеевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    3.
    Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке И. А. Прудаев, И. С. Романов, Вад. А. Новиков и др.

    by Романов, Иван Сергеевич | Новиков, Вадим Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    4.
    Температурная зависимость квантового выхода структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции И. А. Прудаев, И. С. Романов, В. В. Копьев и др.

    by Романов, Иван Сергеевич | Копьев, Виктор Васильевич | Ширапов, Сергей Баирович | Толбанов, Олег Петрович | Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    5.
    Оптические и фотоэлектрические свойства светодиодных гетероструктур на основе GaN В. П. Гермогенов, Ю. Л. Зубрилкина, О. В. Исупова и др.

    by Зубрилкина, Юлия Леонидовна | Исупова, Ольга Владимировна | Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Гермогенов, Валерий Петрович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    6.
    Оптимизация технологических параметров роста пленок GaN:Mg И. С. Романов, А. А. Мармалюк, В. А. Курешов и др.

    by Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Курешов, Владимир Александрович | Мазалов, Александр Владимирович | Сабитов, Дамир Равильевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Романов, Иван Сергеевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    7.
    Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1–x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P И. А. Прудаев, В. Л. Олейник, И. С. Романов и др.

    by Олейник, Владимир Леонидович | Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Рябоштан, Юрий Леонидович | Горлачук, Павел Владимирович | Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    8.
    Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN И. А. Прудаев, В. В. Копьев, И. С. Романов, В. Л. Олейник

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Олейник, Владимир Леонидович | Копьев, Виктор Васильевич.

    Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: The influence of ballistic overflow on temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    9.
    Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока И. А. Прудаев, В. В. Копьев, И. С. Романов, В. Н. Брудный

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Копьев, Виктор Васильевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    10.
    Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN И. С. Романов, А. А. Мармалюк, В. А. Курешов и др.

    by Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Курешов, Владимир Александрович | Мазалов, Александр Владимирович | Сабитов, Дамир Равильевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Романов, Иван Сергеевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    11.
    Падение эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции В. В. Копьев, И. А. Прудаев, И. С. Романов

    by Копьев, Виктор Васильевич | Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    12.
    Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1-x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P И. А. Прудаев, В. Л. Олейник, И. С. Романов и др.

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Иван Сергеевич | Рябоштан, Юрий Леонидович | Горлачук, Павел Владимирович | Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Олейник, Владимир Леонидович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    13.
    Температурная зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции светодиодных структур на основе InGaN/GaN И. А. Прудаев, И. В. Пономарев, И. С. Романов, В. В. Копьев

    by Пономарев, Иван Викторович | Романов, Иван Сергеевич | Копьев, Виктор Васильевич | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    14.
    Сравнительный анализ падения эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при электрических и оптических условиях накачки В. В. Копьев, И. А. Прудаев, И. С. Романов

    by Копьев, Виктор Васильевич | Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов XIV Российской научной студенческой конференции, 13–15 мая 2014 г., Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    15.
    Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. М. Турапин и др.

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Турапин, Алексей Михайлович | Романов, Иван Сергеевич | Лозовой, Кирилл Александрович.

    Source: XXII Международная научно-техническая конференция, школа молодых специалистов и выставка по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 22-25 мая 2012, Москва, Россия : труды конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    16.
    Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой и др.

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Лозовой, Кирилл Александрович | Турапин, Алексей Михайлович | Романов, Иван Сергеевич | Коханенко, Андрей Павлович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Успехи прикладной физикиMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    17.
    Влияние температуры на механизм инжекции носителей в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGan/Gan И. А. Прудаев, И. Ю. Голыгин, С. Б. Ширапов и др.

    by Голыгин, Илья Юрьевич | Ширапов, Сергей Баирович | Романов, Иван Сергеевич | Хлудков, Станислав Степанович | Толбанов, Олег Петрович | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    18.
    Диффузия магния в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN при реальных температурах роста p-GaN 860-980 °C И. С. Романов, И. А. Прудаев, В. Н. Брудный

    by Романов, Иван Сергеевич | Прудаев, Илья Анатольевич | Брудный, Валентин Натанович.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    19.
    Спектры электролюминесценции "красных" светодиодов AlGaInP/GaAs А. А. Мармалюк, П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан и др.

    by Горлачук, Павел Владимирович | Рябоштан, Юрий Леонидович | Брудный, Валентин Натанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Лелеков, Михаил Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    20.
    Падение эффективности в светодиодных структуах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции В. В. Копьев, И. С. Романов

    by Копьев, Виктор Васильевич | Романов, Иван Сергеевич.

    Source: Материалы 53-й Международной научной студенческой конференции МНСК-2015, 11-17 апреля 2015 г. Квантовая физикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    21.
    Светодиодные структуры InGaN/GaN с короткопериодной сверхрешеткой, выращенные на планарной и профилированной сапфировых подложках И. С. Романов, И. А. Прудаев, В. Н. Брудный и др.

    by Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Копьев, Виктор Васильевич | Новиков, Вадим Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    22.
    Внутренняя квантовая эффективность светодиодных структур при различных распределениях носителей заряда по квантовым ямам InGaN/GaN И. С. Романов, И. А. Прудаев, В. В. Копьев

    by Романов, Иван Сергеевич | Прудаев, Илья Анатольевич | Копьев, Виктор Васильевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    23.
    МЛЭ нанокластеры GE на поверхности Si(100). Картины ДБЭ и АСМ-изображения Н. А. Торопов, И. С. Романов

    by Торопов, Никита Александрович | Романов, Иван Сергеевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Молодежная научная конференция Томского государственного университета, 2009 г. Вып. 2Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    24.
    Статические состояния и динамические режимы в системе с нелинейностью в виде композиции парабол И. В. Романов, И. В. Измайлов, А. П. Коханенко, Б. Н. Пойзнер

    by Измайлов, Игорь Валерьевич | Коханенко, Андрей Павлович | Пойзнер, Борис Николаевич, 1941- | Романов, Иван Сергеевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    25.
    Фотодетекторы на основе Si с квантовыми точками Ge для ближнего ИК-диапазона А. М. Турапин, И. С. Романов, К. А. Лозовой и др.

    by Турапин, Алексей Михайлович | Романов, Иван Сергеевич | Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич.

    Source: Молодежная школа-конференция с международным участием "Лазеры и лазерные технологии ", посвященная 50-летию создания первого в мире лазера : труды школы-конференции, 22-27 ноября 2010 года, Россия, ТомскMaterial type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    26.
    Спад квантовой эффективности в структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции В. В. Копьев, И. С. Романов

    by Копьев, Виктор Васильевич | Романов, Иван Сергеевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 12-13 июня 2015 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    27.
    Влияние диффузии магния в активную область светодиодных структур с квантовыми ямами InGan/Gan на внутреннюю квантовую эффективность И. С. Романов, И. А. Прудаев, А. А. Мармалюк и др.

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Романов, Иван Сергеевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    28.
    Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN И. А. Прудаев, Ю. Л. Зубрилкина, А. А. Бактыбаев, И. С. Романов

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Бактыбаев, Азамат Абдухашимулы | Романов, Иван Сергеевич | Зубрилкина, Юлия Леонидовна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    29.
    Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики И. С. Романов, И. А. Прудаев, В. Н. Брудный и др.

    by Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Копьев, Виктор Васильевич | Новиков, Вадим Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :