Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Моделирование распределения напряженности поля арсенид-галлиевых детекторов, компенсированных хромом А. В. Тяжев, Л. К. Шаймерденова

By: Тяжев, Антон ВладимировичContributor(s): Шаймерденова, Лейла КалитаевнаMaterial type: ArticleArticleOther title: Simulation of distribution of field strenght of the chromium compensated gallium arsenide detectors [Parallel title]Subject(s): детекторы | арсенид галлия | матричные сенсоры | вольт-амперная характеристикаGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 8/3. С. 136-138Abstract: Проведено моделирование распределения напряженности поля единичных образцов арсенид-галлиевых детекторов, компенсированных хромом. Проведено сравнение вольт-амперных характеристик, полученных экспериментальным и расчетным путями. Показано, что эффективная площадь контактов определяется диаметром меньшего контакта. При сравнении экспериментальных и расчетных вольт-амперных характеристик установлено влияние эффектов сильного поля.
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
No physical items for this record

Библиогр.: 2 назв.

Проведено моделирование распределения напряженности поля единичных образцов арсенид-галлиевых детекторов, компенсированных хромом. Проведено сравнение вольт-амперных характеристик, полученных экспериментальным и расчетным путями. Показано, что эффективная площадь контактов определяется диаметром меньшего контакта. При сравнении экспериментальных и расчетных вольт-амперных характеристик установлено влияние эффектов сильного поля.

There are no comments on this title.

to post a comment.
Share