Normal view
MARC view
Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN И. А. Прудаев, Ю. Л. Зубрилкина, А. А. Бактыбаев, И. С. Романов
Material type: ArticleSubject(s): светодиоды | гетероструктуры | квантовые ямы | вольт-амперные характеристикиGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Известия высших учебных заведений. Физика Т. 57, № 9. С. 88-89No physical items for this record
Библиогр.: 14 назв.
There are no comments on this title.