Развитие физико-технологических основ создания полупроводниковых приборов А. П. Вяткин, А. А. Вилисов
Material type: ArticleSubject(s): Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск). Лаборатория физики полупроводниковых приборов | полупроводники | контактные явления | арсенид галлия | полупроводниковые диоды | фотоприемники | полупроводниковые приборы | фотодиоды | научно-исследовательские работы | фундаментальные исследования | труды ученых ТГУGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online Получено из издательства In: Вестник Томского государственного университета № 285 : Серия "Физика". С. 33-38Библиогр.: 47 назв.
Получено из издательства
Систем. требования:: Adobe Acrobat Reader 5.0 или выше.
" ...пользование допускается без согласия автора или иного правообладателя и без выплаты вознаграждения. При этом выраженные в цифровой форме экземпляры произведений, предоставляемые библиотеками во временное безвозмездное пользование … могут предоставляться только в помещениях библиотек при условии исключения возможности создать копии этих произведений в цифровой форме" (Гражданский кодекс РФ, ч. 4).
There are no comments on this title.