Оценка концентрации хрома в высокоомном GaAs:Cr, создаваемом диффузией Д. Л. Будницкий, В. А. Новиков, О. П. Толбанов, Т. М. Яскевич
Material type:![Article](/opac-tmpl/lib/famfamfam/AR.png)
Библиогр.: 9 назв.
Представлены результаты исследований поглощения ИК-излучения в высокоомном GaAs:Cr. Измерения поглощения проведены в интервале энергий фотонов 0,5–1,5 эВ при комнатной температуре. Исследованы три типа образцов: легированные диффузией хрома в закрытой и открытой системах и легированные хромом при выращивании. Величина проводимости исследованных образцов составила примерно 10^(–9) (Ом⋅см)^–1. Установлено, что концентрация хрома максимальна в высокоомном GaAs, сформированном диффузией хрома в закрытой системе при Т = 1100 °С: она примерно в 2 раза превышает NCr в выращенном GaAs:Cr и достигает порядка 4⋅10^17 см^(–3). Высказано предположение об активации в процессе диффузии иных механизмов рекомбинации носителей заряда по сравнению с материалом, легированным хромом при выращивании, обеспечивающих возрастание времен жизни и высокую чувствительность диффузионного материала к воздействию ионизирующих излучений.
There are no comments on this title.