Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенным in situ CdTe в качестве диэлектрика А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.]
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Subject(s): теллурид кадмия ртути | диэлектрики | полупроводники | варизонные слои | вольт-фарадные характеристики | МДП-структурыGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 53, № 2. С. 40-45Abstract: Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe (x = 0,22–0,23 и 0,32–0,36) с выращенным in situ CdTe в качестве пассивирующего покрытия. Определены средние плотности поверхностных состояний, а также плотности подвижного и фиксированного зарядов для систем HgCdTe–CdTe, HgCdTe–CdTe–SiO2–Si3N4, HgCdTe–CdTe–ZnTe. Показано, что сформированный in situ CdTe образует достаточно качественную границу раздела, а использование дополнительных слоев SiO2–Si3N4 и ZnTe предоставляет возможности управления электрической прочностью и зарядами в диэлектрике.
Библиогр.: 17 назв.
Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe (x = 0,22–0,23 и 0,32–0,36) с выращенным in situ CdTe в качестве пассивирующего покрытия. Определены средние плотности поверхностных состояний, а также плотности подвижного и фиксированного зарядов для систем HgCdTe–CdTe, HgCdTe–CdTe–SiO2–Si3N4, HgCdTe–CdTe–ZnTe. Показано, что сформированный in situ CdTe образует достаточно качественную границу раздела, а использование дополнительных слоев SiO2–Si3N4 и ZnTe предоставляет возможности управления электрической прочностью и зарядами в диэлектрике.
There are no comments on this title.