Моделирование и оптимизация параметров слоев униполярных фоточувствительных nBn-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для детектирования в MWIR диапазоне А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, С. М. Дзядух, Д. И. Горн
Material type:![Article](/opac-tmpl/lib/famfamfam/AR.png)
Библиогр.: 18 назв.
Ограниченный доступ
Определены оптимальные параметры фоточувствительной униполярной барьерной структуры, которая обладает фоточувствительностью в диапазоне 1−3 мкм, посредством расчета зависимостей максимальной обнаружительной способности Dmax* от состава барьерной области и уровня легирования контактной области. Для оптимизации была использована физико-математическая модель, ранее верифицированная экспериментально через сравнение результатов расчетов с результатами экспериментального исследования вольт-амперных характеристик структур, изготовленных методом молекулярно-лучевой эпитаксии в Институте физики полупроводников СО РАН в г. Новосибирске.
There are no comments on this title.