Экспериментальное исследование барьерных NBvN-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для детектирования в MWIR и LWIR спектральных областях А. В. Войцеховский, С. М. Дзядух, Д. И. Горн [и др.]
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Other title: Experimental study of NBvN barrier structures based on MBE n-HgCdTe for MWIR and LWIR photodetectors [Parallel title]Subject(s): вольт-амперная характеристика | адмиттанс | импеданс | молекулярно-лучевая эпитаксия | барьерная структураGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Прикладная физика № 3. С. 37-42Abstract: Проведено исследование электрофизических и фотоэлектических характеристик барьерных фоточувствительных структур в конфигурации NBvN на основе n-HgCdTe (КРТ). Исследовано семь различных типов фоточувствительных структур для MWIR и LWIR диапазонов инфракрасного (ИК) излучения, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Проведены измерения вольт-амперных характеристик (ВАХ), как темновых, так и при наличии засветки. Определены параметры NBvN-структуры, реализующей максимальные значения фототока и минимальные значения темновых токов в рабочем интервале напряжений смещения V для повышенных рабочих температур.
Библиогр.: 9 назв.
Проведено исследование электрофизических и фотоэлектических характеристик барьерных фоточувствительных структур в конфигурации NBvN на основе n-HgCdTe (КРТ). Исследовано семь различных типов фоточувствительных структур для MWIR и LWIR диапазонов инфракрасного (ИК) излучения, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Проведены измерения вольт-амперных характеристик (ВАХ), как темновых, так и при наличии засветки. Определены параметры NBvN-структуры, реализующей максимальные значения фототока и минимальные значения темновых токов в рабочем интервале напряжений смещения V для повышенных рабочих температур.
There are no comments on this title.