Normal view
MARC view
Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов В. В. Дирко, К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. П. Коханенко
Material type: ArticleContent type: Текст Media type: электронный Subject(s): наногетероструктуры | дифракция быстрых электронов | экспериментальные исследования | германий | кремний | молекулярно-лучевая эпитаксияGenre/Form: статьи в сборниках Online resources: Click here to access online In: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2021 : 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 года, г. Томск : сборник трудов конференции С. 243No physical items for this record
Библиогр.: 4 назв.
There are no comments on this title.