Aдмиттанс МДП-структур на основе nBn-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3−5 µm А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.]
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Subject(s): nBn-структура | МДП-структуры | HgCdTe | адмиттанс | метод эквивалентных схемGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Письма в журнал технической физики Т. 47, № 12. С. 34-37Abstract: Исследован адмиттанс тестовых МДП-структур на основе nBn-систем из Hg1−xCdxTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Состав x в поглощающем и контактном слоях равен 0.29, а состав в барьерном слое — 0.60. Предложена эквивалентная схема МДП-структуры на основе nBn-системы и найдены номиналы элементов этой схемы в различных условиях. Сравнение температурной зависимости сопротивления барьера с моделью Rule07 свидетельствует о возможности создания эффективных nBn-детекторов на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, для спектрального диапазона 3−5 µm.
Библиогр.: 15 назв.
Исследован адмиттанс тестовых МДП-структур на основе nBn-систем из Hg1−xCdxTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Состав x в поглощающем и контактном слоях равен 0.29, а состав в барьерном слое — 0.60. Предложена эквивалентная схема МДП-структуры на основе nBn-системы и найдены номиналы элементов этой схемы в различных условиях. Сравнение температурной зависимости сопротивления барьера с моделью Rule07 свидетельствует о возможности создания эффективных nBn-детекторов на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, для спектрального диапазона 3−5 µm.
There are no comments on this title.