Электрические характеристики MWIR и LWIR nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.]
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Subject(s): униполярные барьерные детекторы | молекулярно-лучевая эпитаксия | электрические характеристики | экспериментальные исследованияGenre/Form: статьи в сборниках Online resources: Click here to access online
In:
Фотоника 2021 : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 4-8 октября 2021 г., Новосибирск : тезисы докладов С. 136Abstract: В докладе представлены результаты теоретического и экспериментального исследования электрических характеристик nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральных диапазонах 3–5 (MWIR) и 8–12 (LWIR) мкм. Структуры для исследований выращивались в ИФП СО РАН методом МЛЭ на подложках из GaAs(013). Выбранные параметры слоев (толщины, концентрации и составы) обеспечивали максимальные значения обнаружительной способности (согласно литературным данным и проведенным расчетам). Например, в MWIR nBn-структурах состав в барьерном слое находился в диапазоне от 0.60 до 0.67. Для пассивации меза-структур использованы пленки Al2O3, нанесенные методом плазменного атомно-слоевого осаждения.
Библиогр.: 4 назв.
В докладе представлены результаты теоретического и экспериментального исследования электрических характеристик nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральных диапазонах 3–5 (MWIR) и 8–12 (LWIR) мкм. Структуры для исследований выращивались в ИФП СО РАН методом МЛЭ на подложках из GaAs(013). Выбранные параметры слоев (толщины, концентрации и составы) обеспечивали максимальные значения обнаружительной способности (согласно литературным данным и проведенным расчетам). Например, в MWIR nBn-структурах состав в барьерном слое находился в диапазоне от 0.60 до 0.67. Для пассивации меза-структур использованы пленки Al2O3, нанесенные методом плазменного атомно-слоевого осаждения.
There are no comments on this title.