E-catalog        

Библиогр.: 30 назв.

Изготовлены два вида длинноволновых nBn-структур на основе теллурида кадмия и ртути, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs(013). Для каждого вида приборов боковые стенки мезаструктур пассивировались диэлектрической пленкой Al2O3 или оставлялись без пассивации. Содержание CdTe в поглощающих слоях было равно 0.20 и 0.21, а в барьерных слоях – 0.61 и 0.63. Темновые токи изготовленных приборов исследованы в широком диапазоне смещений и температур. Найдены значения компоненты поверхностной утечки в различных условиях. Показано, что плотность тока поверхностной утечки уменьшается при пассивации пленкой Al2O3. Установлено, что при комнатной температуре в nBn-структурах при обратных смещениях доминирует компонента поверхностной утечки, а при прямых смещениях темновой ток определяется совместным влиянием компоненты поверхностной утечки и объемной компоненты тока. Из графиков Аррениуса найдены значения энергий активации компоненты тока поверхностной утечки, которые при небольших обратных смещениях находятся в диапазоне от 0.05 до 0.10 эВ. При небольших обратных смещениях при охлаждении образцов возрастает роль объемной компоненты темнового тока, которая при температуре 180 К составляет примерно 0.81 А/см2. В диапазоне температур 200–300 К значения плотности темнового тока превышают значения, рассчитанные согласно эмпирической модели Rule07, в 10–100 раз, что свидетельствует о возможности создания длинноволновых барьерных детекторов при снижении значений компоненты поверхностной утечки.