Normal view
MARC view
Технология выращивания кристаллов нитрида галлия [Э. Д. Хэнсер, Кейт Р. Эванс, Акинори Коукиту и др.] ; под ред. Д. Эрентраута, Э. Мейсснер, М. Боковски ; пер. с англ. К. В. Юдинцева под ред. В. П. Чалого, Д. М. Красовицкого ; [МИНПРОМТОРГ России]
Material type:
TextSeries: Мир радиоэлектроникиPublication details: Москва Техносфера 2011Description: 383 с. рис., таблISBN: 9785948362939Subject(s): подложки нитридгаллиевые объемные | полупроводники нитридгаллиевые | кристаллы нитридгаллиевые объемные | выращивание кристаллов нитридгаллия | эпитаксия хлорид-гидридная | кристаллы нитридгаллиевые полярные | кристаллы нитридгаллиевые неполярные | выращивание кристаллов аммонотермальное | выращивание кристаллов кислотно-аммонотермального | выращивание кристаллов из расплава | выращивание кристаллов из раствора под высоким давлением | оптические свойства подложек | точечные дефекты в кристаллах | примеси в кристаллах | спектроскопия позитронной аннигиляции | натрий-флюс, метод выращивания кристаллов | ферромагнетики в магнитном поле
| Item type | Current library | Call number | Status | Date due | Barcode |
|---|---|---|---|---|---|
| Выдается по месту хранения | Читальный зал 5 | 548 Т384 (Browse shelf (Opens below)) | Available | 13820000837247 |
Авт. указ. в содерж.
Библиогр. в конце гл.
There are no comments on this title.