Численное моделирование униполярных барьерных фоточувствительных структур на основе МЛЭ n-HgCdTe А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, С. М. Дзядух [и др.]
Material type:![Article](/opac-tmpl/lib/famfamfam/AR.png)
Библиогр.: 23 назв.
Ограниченный доступ
Представлены описание методики и результаты моделирования энергетической диаграммы, а также электрофизических и фотоэлектрических характеристик униполярных барьерных структур на основе гетероэпитаксиальных структур HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Проведено сопоставление проведенных ранее измерений вольт-амперных характеристик с результатами моделирования, которое демонстрирует, что предложенная модель адекватно описывает характеристики реальных экспериментальных образцов, выращенных методом МЛЭ.
There are no comments on this title.