Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

    • Your search returned 10 results.

    1.
    No cover image available
    Статистическое рассмотрение двумерного зародышеобразования в гомоэпитаксии GaAs Ю. Г. Галицын, В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко и др.

    by Галицын, Юрий Георгиевич | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Мощенко, Сергей Павлович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    2.
    No cover image available
    МЛЭ гетероструктур на основе материалов A3B5 для мощных СВЧ-транзисторов К. С. Журавлев, В. Г. Мансуров, А. И. Торопов

    by Журавлев, Константин Сергеевич | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Торопов, Александр Иванович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    3.
    No cover image available
    Комплексная система обработки дифракционных картин в ДБЭО Д. В. Дмитриев, В. Г. Мансуров, Е. А. Колосовский и др.

    by Дмитриев, Дмитрий Владимирович физик | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Колосовский, Евгений Анатольевич.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    4.
    No cover image available
    Реконструкционный фазовый переход (2х4)α → (2х4)β на поверхности (001) GaAs, индуцированный адсорбцией тетрамера мышьяка Ю. Г. Галицын, В. Г. Мансуров, С. М. Мощенко, А. И. Торопов

    by Галицын, Юрий Георгиевич | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Мощенко, Сергей Павлович | Торопов, Александр Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    5.
    No cover image available
    Адиабатические и неадиабатические процессы в гомоэпитаксии на поверхности (001) GaAs из пучков As4 и Ga Ю. Г. Галицын, В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко, А. И. Торопов

    by Галицын, Юрий Георгиевич | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Мощенко, Сергей Павлович | Торопов, Александр Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    6.
    No cover image available
    Контроль полярности пленок GaN при росте методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на АL2O3(0001) В. В. Преображенский, Б. Р. Семягин, М. А. Путято [и др.]

    by Преображенский, Валерий Владимирович | Семягин, Борис Рэмович | Путято, Михаил Альбертович | Хамзин, Т. Х | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Торопов, Александр Иванович | Пчеляков, Олег Петрович.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    7.
    No cover image available
    Влияние начальных условий роста на полярность слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Al2O3(0001) В. В. Преображенский, Б. Р. Семягин, М. А. Путято [и др.]

    by Преображенский, Валерий Владимирович | Семягин, Борис Рэмович | Путято, Михаил Альбертович | Хамзин, Т. Х | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Торопов, Александр Иванович | Пчеляков, Олег Петрович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    8.
    No cover image available
    Использование формализма матриц рассеяния в расчетах осцилляций зеркального рефлекса в дифракции на отражение при МЛЭ Ю. Г. Галицын, В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко, А. И. Торопов

    by Галицын, Юрий Георгиевич | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Мощенко, Сергей Павлович | Торопов, Александр Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    9.
    No cover image available
    Асимметричный реконструкционный фазовый переход C(4X4) -> ץ((2X4) на поверхности (001) GaAs Ю. Г. Галицын, В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко и др.

    by Галицын, Юрий Георгиевич | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Мощенко, Сергей Павлович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    10.
    No cover image available
    Модель зародышеобразования в гомоэпитаксии арсенида галлия из пучков As4 и Ga на As - стабилизированной поверхности (001)GaAs Д. В. Дмитриев, Ю. Г. Галицын, В. Г. Мансуров [и др.]

    by Дмитриев, Дмитрий Владимирович физик | Галицын, Юрий Георгиевич | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Мощенко, Сергей Павлович | Торопов, Александр Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart