Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Моделирование и оптимизация параметров слоев униполярных фоточувствительных nBn-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для детектирования в MWIR диапазоне А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, С. М. Дзядух, Д. И. Горн

Contributor(s): Войцеховский, Александр Васильевич | Григорьев, Денис Валерьевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Горн, Дмитрий ИгоревичMaterial type: ArticleArticleContent type: Текст Media type: электронный Other title: Simulation and optimization of layer parameters of unipolaral nBn structures based on MBE n-HgCdTe for MWIR detection [Parallel title]Subject(s): барьерная структура | вольт-амперная характеристика | теллурид кадмия-ртути | молекулярно-лучевая эпитаксия | фотоприемные устройстваGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 10. С. 44-53Abstract: Определены оптимальные параметры фоточувствительной униполярной барьерной структуры, которая обладает фоточувствительностью в диапазоне 1−3 мкм, посредством расчета зависимостей максимальной обнаружительной способности Dmax* от состава барьерной области и уровня легирования контактной области. Для оптимизации была использована физико-математическая модель, ранее верифицированная экспериментально через сравнение результатов расчетов с результатами экспериментального исследования вольт-амперных характеристик структур, изготовленных методом молекулярно-лучевой эпитаксии в Институте физики полупроводников СО РАН в г. Новосибирске.
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
No physical items for this record

Библиогр.: 18 назв.

Ограниченный доступ

Определены оптимальные параметры фоточувствительной униполярной барьерной структуры, которая обладает фоточувствительностью в диапазоне 1−3 мкм, посредством расчета зависимостей максимальной обнаружительной способности Dmax* от состава барьерной области и уровня легирования контактной области. Для оптимизации была использована физико-математическая модель, ранее верифицированная экспериментально через сравнение результатов расчетов с результатами экспериментального исследования вольт-амперных характеристик структур, изготовленных методом молекулярно-лучевой эпитаксии в Институте физики полупроводников СО РАН в г. Новосибирске.

There are no comments on this title.

to post a comment.
Share