|
1.
|
|
|
2.
|
|
|
3.
|
Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN В. Н. Брудный, С. С. Веревкин, А. В. Говорков и др. by Веревкин, Сергей Сергеевич | Говорков, Анатолий Васильевич | Ермаков, В. С | Колин, Николай Георгиевич | Корулин, Алексей Викторович | Поляков, Александр Яковлевич | Смирнов, Н. Б | Брудный, Валентин Натанович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
4.
|
Электронные свойства p-GaN(Mg), облученного реакторными нейтронами В. М. Бойко, В. Н. Брудный, С. С. Веревкин и др. by Бойко, В. М | Веревкин, Сергей Сергеевич | Ермаков, В. С | Колин, Николай Георгиевич | Корулин, Алексей Викторович | Поляков, Александр Яковлевич | Брудный, Валентин Натанович | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ. Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
5.
|
Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики И. С. Романов, И. А. Прудаев, В. Н. Брудный и др. by Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Копьев, Виктор Васильевич | Новиков, Вадим Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
6.
|
|
|
7.
|
|