Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 3 results.

    1.
    Электрофизические свойства эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, после низкоэнергетического ионного воздействия В. С. Волков

    by Волков, В. С.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов XI Российской научной студенческой конференции, 13-15 мая 2008 г., Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    2.
    Ионная имплантация в эпитаксиальные пленки КРТ, выращенные методом МЛЭ Д. В. Григорьев, Д. В. Леонтьев

    by Григорьев, Денис Валерьевич | Леонтьев, Дмитрий Владимирович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    3.
    Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках А2В6 Ю. Ю. Логинов, Пол Д. Браун, Кен Дьюроуз

    by Логинов, Юрий Юрьевич | Браун, Пол Д | Дьюроуз, Кен.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: М. Логос 2003Availability: No items available :