Normal view
MARC view
Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10 Науч. рук. : Войцеховский А. В. , Коханенко, А. П. ; Томский гос. ун-т
Material type:
TextPublication details: Томск 1998Description: 208 с. рисSubject(s): эпитаксиальные методы | эпитаксиальные структуры | методы исследования | молекулярно-лучевая эпитаксия | фотоприемники | варизонные структуры | полупроводниковые материалы | диэлектрики | эпитаксиальные пленки | спектры | фотоэлектрические свойства | рекомбинационные свойства | возбуждения | проводимость | источники излучения | фоторезисторы
| Item type | Current library | Call number | Copy number | Status | Date due | Barcode |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Выдается в читальный зал | Книгохранилище | 1-837379к (Browse shelf (Opens below)) | 1 | Available | 13820000038336 |
Библиогр.: с. 194-207
There are no comments on this title.