Normal view
MARC view
Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (Record no. 19379)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 02186nam a2200409 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | vtls000038789 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20210910112959.0 |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 990204s1998 ru a f b 00| | rus d |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | 0041-07560 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| Правила каталог. | PSBO |
| 080 ## - Индекс УДК | |
| Индекс УДК | 539.23(043.3) |
| 100 1# - Автор | |
| Автор | Денисов, Юрий Алексеевич. |
| 9 (RLIN) | 124217 |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии |
| Продолж. заглавия | Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10 |
| Ответственность | Науч. рук. : Войцеховский А. В. , Коханенко, А. П. ; Томский гос. ун-т |
| 260 ## - Выходные данные | |
| Место издания | Томск |
| Дата издания | 1998 |
| 300 ## - Физическое описание | |
| Объем | 208 с. |
| Иллюстрации/тип воспроизводства | рис. |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: с. 194-207 |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | эпитаксиальные методы. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | эпитаксиальные структуры. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | методы исследования. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | молекулярно-лучевая эпитаксия. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | фотоприемники. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | варизонные структуры. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | полупроводниковые материалы. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | диэлектрики. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | эпитаксиальные пленки. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | спектры. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | фотоэлектрические свойства. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | рекомбинационные свойства. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | возбуждения. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | проводимость. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | источники излучения. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | фоторезисторы. |
| 710 2# - Другие организации | |
| Организация/юрисдикция | Томский государственный университет. |
| 9 (RLIN) | 53646 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| Полочный индекс | 1-837379к |
| Авторский знак | 539.2 |
| Код страны | ru |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 19379 |
| Не выдается | Отсутствует на месте | Поврежден | Исходное место хранения | Местоположение | Дата поступления | Цена | Всего выдач | Расстановочный шифр | Штрих-код | Номер копии | Класс экземпляра |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Научная библиотека ТГУ | Книгохранилище | 02/04/2021 | 50.00 | 1-837379к | 13820000038336 | 1 | Выдается в читальный зал |