Normal view
MARC view
Реконструкционный фазовый переход (2х4)α → (2х4)β на поверхности (001) GaAs, индуцированный адсорбцией тетрамера мышьяка Ю. Г. Галицын, В. Г. Мансуров, С. М. Мощенко, А. И. Торопов
Material type: ArticleSubject(s): физика полупроводников | полупроводники | фазовые переходы | арсенид галлия | адсорбция мышьяка | экспериментальные исследования | полупроводниковые материалы In: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 202-203No physical items for this record
В статье С. М. Мощенко
There are no comments on this title.