Фотодиоды на основе структур Ga2O3/n-GaAs, способные работать в автономном режиме В. М. Калыгина, О. С. Киселева, Б. О. Кушнарев [и др.]
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Other title: Self-powered photo diodes based on Ga2O3/n-GaAs structures [Parallel title]Subject(s): МДП-структуры | вольт-фарадные характеристики | вольт-сименсные характеристики | фототоки | плотность ловушекGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Физика и техника полупроводников Т. 56, № 9. С. 928-932Abstract: Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/n-GaAs. Пленку оксида галлия получали ВЧ магнетронным напылением на эпитаксиальные слои n-GaAs с концентрацией N_d=9.5·1014 cм-3. Толщина оксидной пленки равнялась 120 нм. Измерения на частоте 106 Гц показали, что вольт-фарадные и вольт-сименсные зависимости описываются кривыми, характерными для структур металл--диэлектрик--полупроводник и обнаруживают слабую чувствительность к излучению с λ=254 нм. При работе на постоянном сигнале образцы проявляют свойства фотодиода и способны работать в автономном режиме. Фотоэлектрические характеристики детекторов во время непрерывного действия излучения с λ=254 нм определяются высокой плотностью ловушек на границе Ga2O3/GaAs и в объеме оксидной пленки.
Библиогр.: 15 назв.
Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/n-GaAs. Пленку оксида галлия получали ВЧ магнетронным напылением на эпитаксиальные слои n-GaAs с концентрацией N_d=9.5·1014 cм-3. Толщина оксидной пленки равнялась 120 нм. Измерения на частоте 106 Гц показали, что вольт-фарадные и вольт-сименсные зависимости описываются кривыми, характерными для структур металл--диэлектрик--полупроводник и обнаруживают слабую чувствительность к излучению с λ=254 нм. При работе на постоянном сигнале образцы проявляют свойства фотодиода и способны работать в автономном режиме. Фотоэлектрические характеристики детекторов во время непрерывного действия излучения с λ=254 нм определяются высокой плотностью ловушек на границе Ga2O3/GaAs и в объеме оксидной пленки.
There are no comments on this title.