Взаимодействие примесей Zn и Ni с технологическими примесями в кремнии Д. М. Есбергенов
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Other title: Interaction of Zn and Ni impurities with technological impurities in silicon [Parallel title]Subject(s): кремний | цинк | никель | диффузия | рентгеновские спектры | рентгеновская дифракция | ИК-спектроскопияGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 5. С. 53-59Abstract: Приведены результаты исследований взаимодействия атомов примесей цинка и никеля в кремнии, легированных последовательно, в различных комбинациях c помощью метода рентгеновской дифракции и ИК-фурье-спектрометрии. Степень кристалличности решетки кремния, легированного примесями Zn, Ni, зависит от технологии введения данных примесей. Было обнаружено, что после введения атомов Zn в Si, предварительно легированный Ni (Si<Ni, Zn>), вместе с уменьшением концентрации атомов оптически-активного кислорода улучшается прозрачность кристалла, в то время как в образцах при обратной комбинации легирования (Si<Zn, Ni>) наблюдается обратный эффект.
Библиогр.: 20 назв.
Ограниченный доступ
Приведены результаты исследований взаимодействия атомов примесей цинка и никеля в кремнии, легированных последовательно, в различных комбинациях c помощью метода рентгеновской дифракции и ИК-фурье-спектрометрии. Степень кристалличности решетки кремния, легированного примесями Zn, Ni, зависит от технологии введения данных примесей. Было обнаружено, что после введения атомов Zn в Si, предварительно легированный Ni (Si<Ni, Zn>), вместе с уменьшением концентрации атомов оптически-активного кислорода улучшается прозрачность кристалла, в то время как в образцах при обратной комбинации легирования (Si<Zn, Ni>) наблюдается обратный эффект.
There are no comments on this title.