Normal view
MARC view
Улучшение характеристик мощных транзисторов интегральных схем на основе ионно-легированных структур арсенида галлия с использованием гидрогенизации в атомарном водороде А. В. Голиков, В. А. Кагадей, Е. В. Нефедцев [и др.]
Material type: ArticleSubject(s): физика полупроводников | полупроводники | полупроводниковые приборы | ионно-легированные структуры | электронные устройства | арсенид галлия | гидрогенизация | Шоттки диоды | транзисторы | интегральные схемы | атомарный водород | экспериментальные исследования | полупроводниковые материалы | труды ученых ТГУ In: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 338-340No physical items for this record
Библиогр.: 6 назв.
There are no comments on this title.