Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Улучшение характеристик мощных транзисторов интегральных схем на основе ионно-легированных структур арсенида галлия с использованием гидрогенизации в атомарном водороде А. В. Голиков, В. А. Кагадей, Е. В. Нефедцев [и др.]

Contributor(s): Голиков, А. В | Кагадей, Валерий Алексеевич | Нефедцев, Евгений Валерьевич | Проскуровский, Дмитрий Ильич | Романенко, Святослав Валерьевич | Ромась, Лариса Михайловна | Широкова, Л. СMaterial type: ArticleArticleSubject(s): физика полупроводников | полупроводники | полупроводниковые приборы | ионно-легированные структуры | электронные устройства | арсенид галлия | гидрогенизация | Шоттки диоды | транзисторы | интегральные схемы | атомарный водород | экспериментальные исследования | полупроводниковые материалы | труды ученых ТГУ In: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 338-340
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
No physical items for this record

Библиогр.: 6 назв.

There are no comments on this title.

to post a comment.
Share