Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 2 results.

    1.
    Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 Копьев Виктор Васильевич ; науч. рук. Прудаев И. А. ; Том. гос. ун-т

    by Копьев, Виктор Васильевич | Прудаев, Илья Анатольевич [ths] | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 2019Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    2.
    Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока И. А. Прудаев, В. В. Копьев, И. С. Романов, В. Н. Брудный

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Копьев, Виктор Васильевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :