Научная библиотека ТГУ catalog › Results of search for 'su:"молекулярно-лучевая эпитаксия"'

Search

Your search returned 7 results.

	1.	No cover image available Электрофизические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ КРТ после ионной имплантации бора А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Несмелов, Сергей Николаевич \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Ижнин, Игорь Иванович \| Савицкий, Григорий Владимирович \| Бончик, Александр Юрьевич \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	2.	No cover image available Гистерезисные явления в МДП-структурах на основе варизонного МЛЭ HgCdTe с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4 А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух by Войцеховский, Александр Васильевич \| Несмелов, Сергей Николаевич \| Дзядух, Станислав Михайлович. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	3.	No cover image available Особенности адмиттанса МДП структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0,30) А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] by Несмелов, Сергей Николаевич \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Варавин, Василий Семенович \| Дворецкий, Сергей Алексеевич \| Михайлов, Николай Николаевич физик \| Якушев, Максим Витальевич \| Сидоров, Георгий Юрьевич \| Войцеховский, Александр Васильевич. Source: Прикладная физикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Other title: Features of the admittance of MIS structures based on MBE p-Hg1-xCdxTe (x = 0.30).Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	4.	No cover image available Исследование методом спектроскопии адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ Hg1–xCdxTe после ионной имплантации бора А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Несмелов, Сергей Николаевич \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Ижнин, Игорь Иванович \| Савицкий, Григорий Владимирович \| Бончик, Александр Юрьевич \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	5.	No cover image available Особенности поведения дифференциальной емкости МДП-структуры при наличии слоев CdTe в варизонном слое полупроводниковой пленки HgCdTe С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов by Дзядух, Станислав Михайлович \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Несмелов, Сергей Николаевич \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	6.	No cover image available Моделирование вольт-фарадных характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe при неоднородном распределении состава и легирующей примеси А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух by Войцеховский, Александр Васильевич \| Несмелов, Сергей Николаевич \| Дзядух, Станислав Михайлович. Source: Прикладная физикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Other title: Modeling of the capacitance-voltage characteristics of MIS structures based on MBE HgCdTe at inhomogeneous distribution of composition and dopant.Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	7.	No cover image available Теоретическое описание особенностей вольт-фарадных характеристик МДП-структур с квантовыми ямами CdHgTe при температурах 8-300 К А. В. Войцеховский, Д. И. Горн by Войцеховский, Александр Васильевич \| Горн, Дмитрий Игоревич \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)