Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Your search returned 6 results.

1.
Гистерезисные явления в МДП-структурах на основе варизонного МЛЭ HgCdTe с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4 А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух

by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
2.
Особенности поведения дифференциальной емкости МДП-структуры при наличии слоев CdTe в варизонном слое полупроводниковой пленки HgCdTe С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов

by Дзядух, Станислав Михайлович | Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
3.
Электрофизические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ КРТ после ионной имплантации бора А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.

by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Ижнин, Игорь Иванович | Савицкий, Григорий Владимирович | Бончик, Александр Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
4.
Исследование методом спектроскопии адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ Hg1–xCdxTe после ионной имплантации бора А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.

by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Ижнин, Игорь Иванович | Савицкий, Григорий Владимирович | Бончик, Александр Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
5.
Особенности адмиттанса МДП структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0,30) А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.]

by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Сидоров, Георгий Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич.

Source: Прикладная физикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Features of the admittance of MIS structures based on MBE p-Hg1-xCdxTe (x = 0.30).Online access: Click here to access online Availability: No items available :
6.
Моделирование вольт-фарадных характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe при неоднородном распределении состава и легирующей примеси А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух

by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович.

Source: Прикладная физикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Modeling of the capacitance-voltage characteristics of MIS structures based on MBE HgCdTe at inhomogeneous distribution of composition and dopant.Online access: Click here to access online Availability: No items available :