Normal view
MARC view
Исследование влияния параметров базы на переходные процессы кремниевых диодов диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук С. А. Зайдман ; науч. рук. Гаман В. И. ; Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева
Material type:
TextPublication details: Томск [б. и.] 1966Description: 207 л. илContent type: Текст Media type: разные средства доступа Subject(s): диссертации | полупроводниковые приборы | диоды кремниевые | переходные процессы | уровни инъекций низкие | уровни инъекций высокие | переключения направлений | нестационарные процессы | время жизни носителей заряда | дислокации в полупроводниках | центры рекомбинаций | термозакалка кремния | облучение быстрыми нейтронами | отжиг радиационных дефектов | поверхностные свойства кремния | скорость поверхностной рекомбинации | переходные характеристики | расчетные формулы | геометрические формы диодов | температурная зависимость | дефекты объемные | инерционность диодовGenre/Form: диссертацииOnline resources: Click here to access online
| Item type | Current library | Call number | Status | Date due | Barcode |
|---|---|---|---|---|---|
| Выдается в читальный зал | Книгохранилище | 905625 (Browse shelf (Opens below)) | Available | 13820000852918 |
Библиогр.: л. 195 - 204
Доступ в сети ТГУ
There are no comments on this title.