Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Исследование влияния параметров базы на переходные процессы кремниевых диодов (Record no. 344176)

000 -Маркер записи
Контрольное поле постоянной длины 02942nam a2200589 c 4500
001 - Контрольный номер
Контрольное поле vtls000465438
005 - Дата корректировки
Контрольное поле 20230607130645.0
006 - Дополнительные элементы данных фиксированной длины
Контрольное поле постоянной длины m fo d
007 - Кодируемые данные (физ. описан.)
Контрольное поле постоянной длины cr |
008 - Кодируемые данные
Контрольное поле постоянной длины 131204s1966 ru a fsbm 000 0 rus d
035 ## - Системный контрольный номер
Системный контрольный номер to000465438
040 ## - Источник каталогиз.
Служба первич. каталог. RU-ToGU
Код языка каталог. rus
Служба, преобразующая запись RU-ToGU
080 ## - Индекс УДК
Индекс УДК 621.382.2(043.3)
080 ## - Индекс УДК
Индекс УДК 537.311.322(043.3)
100 1# - Автор
Автор Зайдман, Софья Ароновна
9 (RLIN) 403971
245 10 - Заглавие
Заглавие Исследование влияния параметров базы на переходные процессы кремниевых диодов
Продолж. заглавия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
Ответственность С. А. Зайдман ; науч. рук. Гаман В. И. ; Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева
260 ## - Выходные данные
Место издания Томск
Издательство [б. и.]
Дата издания 1966
300 ## - Физическое описание
Объем 207 л.
Иллюстрации/тип воспроизводства ил.
336 ## - Тип содержимого
Тип содержимого Текст
337 ## - Средство доступа
Средство доступа разные средства доступа
504 ## - Библиография
Библиография Библиогр.: л. 195 - 204
506 ## - Ограничения на доступ к материалу
Ограничения доступа Доступ в сети ТГУ
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова диссертации
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова полупроводниковые приборы.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова диоды кремниевые
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова переходные процессы
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова уровни инъекций низкие
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова уровни инъекций высокие
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова переключения направлений
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова нестационарные процессы.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова время жизни носителей заряда
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова дислокации в полупроводниках
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова центры рекомбинаций
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова термозакалка кремния
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова облучение быстрыми нейтронами
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова отжиг радиационных дефектов
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова поверхностные свойства кремния
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова скорость поверхностной рекомбинации
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова переходные характеристики
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова расчетные формулы.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова геометрические формы диодов
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова температурная зависимость
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова дефекты объемные
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова инерционность диодов
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма
Жанр/форма диссертации
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Гаман, Василий Иванович
Дата 1929-2021
Код отношения ths
9 (RLIN) 68547
710 2# - Другие организации
Организация/юрисдикция Томский государственный университет.
9 (RLIN) 53646
852 4# - Местонахождение единицы хранения
Код организации-хранителя RU-ToGU
Код страны ru
856 4# - Электронный адрес документа
URL <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000465438">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000465438</a>
999 ## - Системные контрольные номера (Koha)
biblionumber (Koha) 344176
Holdings
Не выдается Отсутствует на месте Поврежден Исходное место хранения Местоположение Дата поступления Расстановочный шифр Штрих-код Класс экземпляра
      Научная библиотека ТГУ Книгохранилище 04/04/2021 905625 13820000852918 Выдается в читальный зал