Normal view
MARC view
Перенос носителей заряда в структурах из GaAs с глубокими центрами Fe, Cr и EL2 диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11 Верхолетов Максим Георгиевич ; науч. рук. Прудаев И. А. ; Нац. исслед. Томский гос. ун-т
Material type:
TextPublication details: Томск [б. и.] 2022Description: 119 л. илContent type: Текст Media type: непосредственный Subject(s): Физика полупроводников | диссертации | физика полупроводников | диоды | арсенид галлия | перенос носителей заряда в арсениде галлия | донорные центры глубокие арсенида галлия | акцепторные центры глубокие арсенида галлия | пробой лавинный | S-диоды лавинные | транзисторы биполярные лавинные | фотоэлектрические ключи HG PCSS | обострители арсенид-галлиевые | арсенид-галлиевые структуры, переключения сверхбыстрые | арсенид-галлиевые структуры, методика исследования | Synopsys TCAD, пакет программ автоматизированного проектирования | арсенид-галлиевые структуры, легирование | хром, акцепторная примесь глубокая | железо, акцепторная примесь глубокая | EL2-центры глубокие донорные | электронно-дырочные переходы
| Item type | Current library | Call number | Status | Date due | Barcode |
|---|---|---|---|---|---|
| Выдается в читальный зал | Книгохранилище | 2-046587 (Browse shelf (Opens below)) | Available | 13820001047723 |
Библиогр.: л. 107-119
There are no comments on this title.