E-catalog        

Библиогр.: 42 назв.

Представлены результаты исследований адмиттанса униполярных барьерных структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из GaAs (013). С использованием пассивации диэлектриком Al2O3 изготовлены приборные nBn-структуры на основе HgCdTe, причем параметры слоев в созданных структурах обеспечивали возможность детектирования в спектральном диапазоне 3–5 мкм. На основании анализа частотных зависимостей адмиттанса предложена эквивалентная схема nBn-структур при малых смещениях. Определены зависимости параметров эквивалентной схемы от площади мезаструктуры и от температуры. Изучены свойства высокотемпературных максимумов на полевых зависимостях емкости и проводимости nBn-структур, которые предположительно связаны с перезарядкой поверхностных состояний на гетеро- границе между барьерным и поглощающим слоями. Установлено, что в широком диапазоне частот и температур вольт-фарадные характеристики nBn структур на основе HgCdTe при обратных смещениях могут использоваться для определения концентрации донорной примеси в поглощающем слое. Показано, что адмиттанс тестовых МДП-приборов в мезаконфигурации, сформированных на основе nBn-структур из МЛЭ HgCdTe, определяется совместным влиянием электронных процессов в контактном, барьерном и поглощающем слоях.