Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 22 results.

    1.
    Диод Ганна (учебное пособие) В. М. Калыгина, С. В. Малянов ; Том. гос. ун-т, Радиофиз. фак.

    by Калыгина, Вера Михайловна | Малянов, Станислав Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction Publication details: Томск [б. и.] 2003Availability: No items available :
    2.
    Взаимодействие медленных электронов с поверхностью арсенида галлия при различных воздействиях на нее Ю. И. Асалханов, А. И. Бадлуев

    by Асалханов, Юлий Иннокентьевич | Бадлуев, Алексей Ильич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    3.
    Исследование низкочастотных флуктуаций тока в прямой ветви ВАХ структур с барьером Шоттки на GaAs в области низких температур Н. Г. Филонов, Н. К. Максимова

    by Филонов, Николай Григорьевич | Максимова, Надежда Кузьминична.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    4.
    Исследование фотоприемников ультрафиолетового диапазона на основе нитрида галлия А. Н. Зарубин,А. Д. Лозинская, Д. Ю. Мокеев и др.

    by Лозинская, Анастасия Дмитриевна | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Зарубин, Андрей Николаевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    5.
    Исследование влияния размеров контактов на вольт-амперные характеристики GaAs<Cr> детекторов Л. К. Шаймерденова

    by Шаймерденова, Лейла Калитаевна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 12-13 июня 2015 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    6.
    Измерение высоты потенциального барьера сенсоров на основе GaAs:Cr методом энергии активации И. Д. Щербаков

    by Щербаков, Иван Дмитриевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 12-13 июня 2015 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    7.
    Ограничение тока в светодиодах на основе нитридов A3B5 при прямом смещении И. А. Прудаев, И. В. Ивонин, О. П. Толбанов

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Толбанов, Олег Петрович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    8.
    Влияние методов обработки поверхности на вольт-амперные характеристики арсенидгаллиевых сенсоров рентгеновского излучения Л. К. Шаймерденова, А. В. Тяжев, А. Н. Зарубин, О. П. Толбанов

    by Шаймерденова, Лейла Калитаевна | Зарубин, Андрей Николаевич | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: The influence of surface treatment methods on the current-voltage characteristics of gallium arsenide X-ray sensors.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    9.
    Влияние водорода на вольт-амперные характеристики структур Pd/n-In0.53Ga0.47As Л. С. Хлудкова, В. П. Воронков

    by Хлудкова, Людмила Станиславовна | Воронков, Виктор Петрович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    10.
    Зависимости между параметрами эллипсометрии и потенциального барьера твердых тел при удалении слоя естественного окисла с их поверхности Ю. И. Асалханов, А. И. Бадлуев

    by Асалханов, Юлий Иннокентьевич | Бадлуев, Алексей Ильич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    11.
    Особенности вольт-амперных характеристик диодных структур на основе арсенида галлия, компенсированного примесями с глубокими уровнями В. И. Гаман, Г. М. Фукс

    by Гаман, Василий Иванович, 1929-2021 | Фукс, Г. М.

    Source: Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    12.
    Влияние гидростатического давления на вольт-амперные характеристики ???-y-n структур из GaAs: Fe А. А. Вилисов, В. И. Гаман, В. М. Диамант

    by Вилисов, Анатолий Александрович | Гаман, Василий Иванович, 1929-2021 | Диамант, В. М.

    Source: Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    13.
    Hopping transport of charge carriers in LEDs based on multiple InGaN/GaN quantum wells I. Prudaev, Y. L. Zubrilkina, A. A. Baktybaev, I. S. Romanov

    by Prudaev, Ilya A | Baktybaev, A. A | Romanov, I. S | Zubrilkina, Yu. L | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    14.
    К вопросу о природе избыточных токов в прямой ветви ВАХ структур с барьером Шоттки на GaAs Н. Г. Филонов

    by Филонов, Николай Григорьевич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    15.
    Влияние обработки поверхности на вольт-амперные характеристики арсенид галлиевых сенсоров рентгеновского излучения Л. К. Шаймерденова

    by Шаймерденова, Лейла Калитаевна.

    Source: Труды XIII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-18 мая 2016 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    16.
    Влияние размеров контактов на вольт-амперные характеристики арсенид галлиевых детекторов, компенсированных хромом Л. К. Шаймерденова, А. В. Тяжев

    by Шаймерденова, Лейла Калитаевна | Тяжев, Антон Владимирович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : тезисы докладов 17-й всероссийской молодежной конференции, 23-27 ноября 2015 года, Санкт-ПетербургMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    17.
    Расчет электрических характеристик детекторных структур на основе арсенида галлия А. Д. Зенкова

    by Зенкова, Анастасия Дмитриевна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 12-13 июня 2015 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    18.
    Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом И. Д. Щербаков, А. Д. Лозинская

    by Щербаков, Иван Дмитриевич | Лозинская, Анастасия Дмитриевна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники.

    Source: Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : тезисы докладов 17-й всероссийской молодежной конференции, 23-27 ноября 2015 года, Санкт-ПетербургMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    19.
    Влияние технологических факторов на параметры солнечных элементов М. М. Михайлов, Д. Д. Каримбаев, Т. А. Копылова, А. С. Веревкин

    by Михайлов, Михаил Михайлович, 1941- | Каримбаев, Дамир Джамаллитдинович | Копылова, Т. А | Веревкин, А. С.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    20.
    Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом А. Н. Зарубин, А. Д. Лозинская, В. А. Новиков и др.

    by Зарубин, Андрей Николаевич | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Щербаков, Иван Дмитриевич | Лозинская, Анастасия Дмитриевна.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Temperature dependences of current-voltage characteristics of radiation imaging sensors based on GaAs:Cr.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    21.
    Low-temperature transport of charge carriers in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes I. Prudaev, O. Tolbanov, S. Khludkov

    by Prudaev, Ilya A | Tolbanov, Oleg P | Khludkov, Stanislav S | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Physica status solidi AMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    22.
    Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN И. А. Прудаев, И. Ю. Голыгин, В. А. Новиков и др.

    by Голыгин, Илья Юрьевич | Новиков, Вадим Александрович | Данюк, Денис Борисович | Скакунов, Максим Сергеевич | Толбанов, Олег Петрович | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :