Normal view
MARC view
Ступени роста и процессы на фронте кристаллизации при газофазовой эпитаксии полупроводников А3В5 диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук : 01.04.07 Ивонин Иван Варфоломеевич ; Сибирский физико-технический ин-т им. В. Д. Кузнецова при Томском гос. ун-те
Material type:
Computer filePublication details: Томск [б. и.] 1998Description: 341 л. илContent type: Текст Media type: электронный Subject(s): физика твердого тела | физика полупроводников | полупроводники А3В5 | кристаллизация полупроводников | рост кристаллов | эпитаксия газофазовая | эпитаксиальные слои полупроводников, рост | арсенид галлия | арсенид индия | эпитаксиальные слои полупроводников, микронеоднородностиGenre/Form: диссертации Online resources: Click here to access online
No physical items for this record
Библиогр.: л. 322-341
Доступ в сети ТГУ
There are no comments on this title.