Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 8 results.

    1.
    Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods A. A. Pishchagin, K. A. Lozovoy, V. Y. Serokhvostov [et.al.]

    by Pishchagin, Anton A | Serokhvostov, V. Yu | Kokhanenko, Andrey P | Voytsekhovskiy, Alexander V | Nikiforov, Alexander I | Lozovoy, Kirill A.

    Source: Actual problems of radiophysics : proceedings of the VI International cоnfеrеnсе "APR-2015", October, 5-10, 2015, Tomsk, RussiaMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    2.
    Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods A. G. Korotaev, A. A. Pishchagin, A. P. Kokhanenko, A. I. Nikiforov

    by Korotaev, Alexander G | Kokhanenko, Andrey P | Nikiforov, Alexander I | Pishchagin, Anton A | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : 25-я Международная Крымская конференция (КрыМиКо'2015), 6-12 сентября 2015 г., Севастополь, Крым, Россия : материалы конференции : в 2 т. Т. 2Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    3.
    Admittance spectroscopy of Ge/Si p-i-n structures with Ge quantum dots A. A. Pishchagin, A. V. Voytsekhovskiy, A. P. Kokhanenko [et.al.]

    by Pishchagin, Anton A | Kokhanenko, Andrey P | Serokhvostov, V. Yu | Dzyadukh, Stanislav M | Nikiforov, Alexander I | Voytsekhovskiy, Alexander V.

    Source: Journal of Physics: Conference SeriesMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    4.
    Synthesis of epitaxial films based on Ge-Si-Sn materials with Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, and GeSn/GeSiSn heterojunctions V. A. Timofeev, A. P. Kokhanenko, A. I. Nikiforov [et.al.]

    by Timofeev, V. A | Nikiforov, Alexander I | Mashanov, Vladimir I | Tuktamyshev, Artur R | Loshkarev, Ivan D | Kokhanenko, Andrey P | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    5.
    Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices K. A. Lozovoy, A. V. Voytsekhovskiy, A. P. Kokhanenko [et.al.]

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Kokhanenko, Andrey P | Satdarov, Vadim G | Pchelyakov, Oleg P | Nikiforov, Alexander I | Lozovoy, Kirill A | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Opto-electronics reviewMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    6.
    Temperature spectra of conductance of Ge/ Si p-i-n structures with Ge quantum dots I. I. Izhnin, O. I. Fitsych, A. A. Pishchagin [et.al.]

    by Izhnin, Igor I | Pishchagin, Anton A | Kokhanenko, Andrey P | Voytsekhovskiy, Alexander V | Dzyadukh, Stanislav M | Nikiforov, Alexander I | Fitsych, Olena I.

    Source: Nanoscale research lettersMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    7.
    Growth of epitaxial SiSn films with high Sn content for IR converters V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, A. P. Kokhanenko [et.al.]

    by Timofeev, V. A | Kokhanenko, Andrey P | Tuktamyshev, Artur R | Mashanov, Vladimir I | Loshkarev, Ivan D | Novikov, Vladimir A | Nikiforov, Alexander I.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    8.
    Admittance Spectroscopy for the Research of Germanium-on-Silicon Quantum Dot Structures Parameters V. G. Satdarov, A. V. Voytsekhovskiy, A. P. Kokhanenko и др.

    by Satdarov, Vadim G | Kokhanenko, Andrey P | Kalin, Eugeniy A | Nikiforov, Alexander I | Dzyadukh, Stanislav M | Voytsekhovskiy, Alexander V | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :