Normal view
MARC view
Некоторые свойства гетеропереходов ZnS - GaAs диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Кузнецов М. Ф. ; науч. рук. П. Е. Рамазанов ; Сиб. физ.-тех. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Том. гос. ун-те им. В. В. Куйбышева
Material type:
TextPublication details: Томск [б. и.] 1969Description: 123 л. илSubject(s): диссертации | гетеропереходы полупроводниковые ZnS-GaAs | зонная структура полупроводников | монокристаллы сульфида цинка | монокристаллы арсенида галлия | электрические свойства гетеропереходов | фотоэлектрические свойства гетеропереходов | люминесцентные свойства гетеропереходов | эпитаксиальные пленкиGenre/Form: диссертации Online resources: Click here to access online
| Item type | Current library | Call number | Status | Date due | Barcode |
|---|---|---|---|---|---|
| Выдается в читальный зал | Книгохранилище | 2-017575 (Browse shelf (Opens below)) | Available | 13820000881615 |
Библиогр.: л. 108-121
Доступ в сети ТГУ
There are no comments on this title.