Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 945 results.

    901.
    Функциональные свойства гетероструктур монокристаллический кремний - неупорядоченный полупроводник Е. А. Тутов, В. В. Селютина, А. А. Баев

    by Тутов, Е. А | Селютина, В. В | Баев, А. А.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов V Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 1996 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    902.
    Компьютерное моделирование электронной структуры оксида и сульфида магния А. В. Жауров

    by Жауров, А. В.

    Source: Физика твердого тела : материалы VII Российской научной студенческой конференции, 16-18 мая 2000 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    903.
    Самоорганизация наноостровков Ge на Si (211) А. А. Самарин, А. О. Шугуров

    by Самарин, А. А | Шугуров, Артур Рубинович.

    Source: Физика твердого тела : материалы VII Российской научной студенческой конференции, 16-18 мая 2000 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    904.
    Нанокристаллическая фаза в феноменологических моделях аморфного кремния А. В. Орлов

    by Орлов, А. В.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов X Российской научной студенческой конференции, 4-6 мая 2006 г., Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    905.
    Влияние электронного пучка дифракции быстрых электронов на морфологию поверхности гетероструктур CaF2/Si(100) Д. И. Остертак

    by Остертак, Д. И.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов X Российской научной студенческой конференции, 4-6 мая 2006 г., Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    906.
    Параметры детекторов из эпитаксиального GaAs, компенсированного хромом И. В. Пономарев

    by Пономарев, Иван Викторович.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов X Российской научной студенческой конференции, 4-6 мая 2006 г., Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    907.
    Туннельная рекомбинация и вольт-амперные характеристики структур на основе твердого раствора InGaN Л. Н. Потанахина

    by Потанахина, Л. Н.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов X Российской научной студенческой конференции, 4-6 мая 2006 г., Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    908.
    Характеристики сенсоров водорода на основе тонких пленок Pt/SnO2:Sb в режимах постоянного и импульсного нагрева Н. В. Сергейченко

    by Сергейченко, Надежда Владимировна.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов X Российской научной студенческой конференции, 4-6 мая 2006 г., Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    909.
    Исследование оптически индуцированного изменения оптического пропускания образцов ниобата лития с поверхностным легированием фоторефрактивными примесями В. Г. Круглов, П. А. Карпушин, А. В. Гусев и др.

    by Круглов, Виталий Геннадьевич | Карпушин, П. А | Гусев, А. В.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов X Российской научной студенческой конференции, 4-6 мая 2006 г., Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    910.
    Физика полупроводников и диэлектриков в Томском университете А. П. Вяткин, В. И. Гаман, М. А. Кривов

    by Вяткин, Анатолий Петрович | Кривов, Михаил Алексеевич, 1916-2009 | Гаман, Василий Иванович, 1929-2021.

    Source: Развитие физических наук в Томском университете : [сборник статей] : к 100-летию со дня основания (1880-1980)Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction Availability: No items available :
    911.
    Диффузия примесей в арсениде галлия, диффузные структуры и приборы С. С. Хлудков

    by Хлудков, Станислав Степанович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    912.
    Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на GaAs А. П. Вяткин, Н. К. Максимова, Н. Г. Филонов

    by Вяткин, Анатолий Петрович | Максимова, Надежда Кузьминична | Филонов, Николай Григорьевич | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    913.
    Расчет характеристик амплитудного модулятора инфракрасного излучения на высокоомном арсениде галлия А. В. Войцеховский, М. А. Гласнов, А. С. Петров

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Петров, Алексей Сергеевич, 1938-1996 | Гласнов, М. А.

    Source: Материалы XVIII научно-технической конференции по радиоэлектронике, посвященной 100-летию со дня рождения В. И. Ленина / Томский университетMaterial type: Article Article; Format: print ; Nature of contents: biography; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    914.
    Понижение уровня избыточных шумов в фоторезисторах на основе Ge : Au А.В. Войцеховский, О.Г. Ланская, Ю.В. Лиленко, А.С. Петров

    by Ланская, О. Г | Войцеховский, Александр Васильевич | Лиленко, Ю. В | Петров, Алексей Сергеевич, 1938-1996.

    Source: Элементы и устройства радиоэлектроники : материалы XXI конференции по радиоэлектроникеMaterial type: Article Article; Format: print ; Nature of contents: biography; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    915.
    Пороговая чувствительность фоторезисторных приемников с СВЧ смешением на основе примесных фотополупроводников А.В. Войцеховский, А.С. Петров

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Петров, Алексей Сергеевич, 1938-1996.

    Source: Доклады юбилейной научно-технической конференции радиофизического факультета / Томский университетMaterial type: Article Article; Format: print ; Nature of contents: biography; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    916.
    Механизм срыва обратной вольт-амперной характеристики р-???-п-структур на основе GaAs(Fe) В. И. Гаман, В. М. Диамант, Г. М. Фукс

    by Гаман, Василий Иванович, 1929-2021 | Диамант, В. М | Фукс, Г. М.

    Source: Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 г. : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: print Availability: No items available :
    917.
    Фотоэлектрические характеристики p-???-n-структур на основе GaAs(Fe) А. А. Вилисов, В. И. Гаман, В. М. Диамант, Г. М. Фукс

    by Гаман, Василий Иванович, 1929-2021 | Вилисов, Анатолий Александрович | Диамант, В. М | Фукс, Г. М.

    Source: Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 г. : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: print Availability: No items available :
    918.
    О статистике зародышеобразования при кристаллизации из молекулярных пучков С. Н. Филимонов

    by Филимонов, Сергей Николаевич.

    Source: Современные проблемы физики и технологии: (Сборник статей молодых ученых)Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    919.
    Диэлектрическая проницаемость алмазоподобных полупроводников В. Г. Тютерев

    by Тютерев, Валерий Григорьевич.

    Source: Материалы первой конференции молодых ученых / Томский университетMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction Availability: No items available :
    920.
    Проводимость кристаллов ниобата лития, легированных примесью MgO А. А. Булычева

    by Булычева, Анна Александровна.

    Source: Современные проблемы физики, технологии и инновационного развития : сборник статей молодых ученыхMaterial type: Article Article; Format: print ; Nature of contents: biography; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    921.
    Неразрушающий метод контроля полуизолирующего арсенида галлия для детекторов ионизирующего излучения А. Н. Ерохин, Г. И. Айзенштат

    by Ерохин, А. Н | Айзенштат, Геннадий Исаакович.

    Source: Современные проблемы физики, технологии и инновационного развития : сборник статей молодых ученыхMaterial type: Article Article; Format: print ; Nature of contents: biography; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    922.
    Исследование детекторов ионизирующих излучений, изготовленных на основе эпитаксиального арсенида галлия Г. И. Айзенштат, М. Д. Вилисова, Е. П. Другова [и др.]

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Вилисова, Мария Дмитриевна | Другова, Е. П | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Пороховниченко, Лидия Петровна | Чубирко, Валентина Анатольевна.

    Source: Современные проблемы физики, технологии и инновационного развития : сборник статей молодых ученыхMaterial type: Article Article; Format: print ; Nature of contents: biography; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    923.
    Фоновое ограничение фотоэлектрических параметров эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом МЛЭ М. Ф. Филатов

    by Филатов, Михаил Федорович.

    Source: Современные проблемы физики, технологии и инновационного развития : сборник статей молодых ученыхMaterial type: Article Article; Format: print ; Nature of contents: biography; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    924.
    925.
    Энергетический спектр и электронный транспорт в короткопериодных сверхрешетках InAs/GaAs В. А. Рогозин, В. А. Кульбачинский, Р. А. Лунин [и др.]

    by Рогозин, В. А | Кульбачинский, Владимир Анатольевич | Лунин, Роман Анатольевич | Мокеров, Владимир Григорьевич, 1940-2008 | Федоров, Ю. В | Хабаров, Ю. В.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    926.
    Электронные состояния поверхности полупроводников A3B5 с адсорбированными слоями цезия В. П. Альперович, В. С. Воронин, А. Г. Паулиш [и др.]

    by Альперович, Виталий Львович | Воронин, В. С | Паулиш, Андрей Георгиевич | Рудая, Нина Сергеевна | Терещенко, Олег Евгеньевич | Терехов, Александр Сергеевич | Шайблер, Генрих Эрнстович | Энтин, Василий Матвеевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    927.
    Колебательные спектры и плотность фононных состояний монослойной сверхрешетки (GaSb)1(AlSb)1 Е. Н. Прыкина, Ю. И. Полыгалов, А. В. Копытов

    by Прыкина, Елена Николаевна | Полыгалов, Юрий Иванович | Копытов, Анатолий Владимирович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    928.
    Модель зародышеобразования в гомоэпитаксии арсенида галлия из пучков As4 и Ga на As - стабилизированной поверхности (001)GaAs Д. В. Дмитриев, Ю. Г. Галицын, В. Г. Мансуров [и др.]

    by Дмитриев, Дмитрий Владимирович физик | Галицын, Юрий Георгиевич | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Мощенко, Сергей Павлович | Торопов, Александр Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    929.
    Влияние примеси Si на захват избыточного мышьяка и свойства GaAs, выращенного методом МЛЭ при низких температурах М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева [и др.]

    by Вилисова, Мария Дмитриевна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Субач, Сергей Владимирович | Торопов, Сергей Евгеньевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    930.
    Наноразмерная модификация поверхности GaAs зондом атомно-силового микроскопа Д. В. Щеглов, Е. Е. Родякина, А. В. Латышев, А. Л. Асеев

    by Щеглов, Дмитрий Владимирович | Родякина, Екатерина Евгеньевна | Латышев, Александр Васильевич | Асеев, Александр Леонидович, 1946-.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    931.
    Химически приготовленная атомно-гладкая поверхность GaAs (100): морфология, реконструкции и электронные свойства О. Е. Терещенко, В. Л. Альперович, Н. С. Рудая [и др.]

    by Терещенко, Олег Евгеньевич | Альперович, Виталий Львович | Рудая, Нина Сергеевна | Латышев, Александр Васильевич | Терехов, Александр Сергеевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    932.
    Получение и исследование свойств эпитаксиальных слоев GaN, выращенных мос-гидричным методом на подложках сапфира с использованием различных буферных слоев А. К. Афанасьев, А. А. Арендаренко, Б. А. Малюков [и др.]

    by Афанасьев, А. К | Арендаренко, А. А | Малюков, Б. А.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    933.
    Особенности фотоотражения в тонких пленках n-GaAs Л. П. Авакянц, П. Ю. Боков, И. П. Казаков, А. В. Червяков

    by Авакянц, Лев Павлович | Боков, Павел Юрьевич | Казаков, Игорь Петрович | Червяков, Анатолий Васильевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    934.
    Использование InP в качестве источника фосфора при выращивании фосфорсодержащих соединений Aᶦᶦᶦ Bᵛ методом молекулярно-лучевой эпитаксии В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Д. Ф. Феклин

    by Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Феклин, Дмитрий Федорович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    935.
    Ионно-лучева изоляция слоев GaAs n- и p- типа проводимости Ю. А. Данилов, J. P. Souza, H. I. Boudinov [и др.]

    by Данилов, Юрий Александрович | Souza, J. P | Boudinov, H. I | Пронин, А. В | Хохлов, Александр Федорович, 1945-2003.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    936.
    Влияние облучения реакторными нейтронами на структуру монокристаллов InP Д. И. Меркурисов, В. Т. Бублик, М. И. Воронова [и др.]

    by Меркурисов, Денис Игоревич | Бублик, Владимир Тимофеевич | Воронова, Марина Игоревна | Колин, Николай Георгиевич | Щербачев, Кирилл Дмитриевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    937.
    Образование радиационных дефектов в арсениде галлия В. В. Пешев

    by Пешев, Владимир Викторович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    938.
    Устойчивость к внешним воздействиям гетероструктур Me/Ga2Se3/GaAs с барьером Шоттки В. И. Арсентьев, Н. Н. Безрядин, Э. П. Домашевская, Г. И. Котов

    by Арсентьев, И. Н | Безрядин, Николай Николаевич | Домашевская, Эвелина Павловна | Котов, Геннадий Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    939.
    Упорядочение латеральной неоднородности в контакте TiBx-GaAs Р. В. Конакова, В. В. Миленин, Д. И. Войциховский [и др.]

    by Конакова, Р. В | Миленин, В. В | Войциховский. Д. И | Литвин, П. М | Камалов, А. Б.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    940.
    Волноводный модулятор 8-мм диапазона длин волн на основе монолитной интегральной схемы В. Г. Божков, В. А. Геннеберг, И. В. Петров, А. В. Семенов

    by Божков, Владимир Григорьевич | Геннеберг, В. А | Петров, Игорь Владимирович физик | Семенов, Анатолий Васильевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    941.
    Способ подготовки поверхности полупроводника и электрофизические характеристики выпрямляющих контактов с арсенидом галлия N-типа покрытий никеля, иридия, иридий-никеля, иридий-золота В. А. Батенков, Л. Ф. Фомина

    by Батенков, Владислав Александрович | Фомина, Лариса Валерьевна.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    942.
    Моделирование деградации фотоэлектрических преобразователей на основе арсенида галлия при воздействии потока высокоэнергетических электронов А. В. Юрченко, В. М. Зыков, Н. Т. Юнда [и др.]

    by Юрченко, Алексей Васильевич | Зыков, Владимир Михайлович | Юнда, Николай Терентьевич | Бакин, Николай Николаевич | Лошманов, Д. А.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    943.
    Электронные параметры CdGeSa2, облученного электронами (2 МэВ) и протонами (5МэВ) В. Н. Брудный, Т. В. Ведерникова, А. И. Потапов

    by Брудный, Валентин Натанович | Ведерникова, Татьяна Владимировна | Потапов, Александр Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    944.
    Расчет спектральных характеристик фотопроводимости эпитаксиальных варизонных пленок КРТ Н. В. Нестерович

    by Нестерович, Н. В.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    945.
    Оптические свойства оксианионных кристаллов Д. В. Корабельников

    by Корабельников, Дмитрий Васильевич.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов X Российской научной студенческой конференции, 4-6 мая 2006 г., Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :