Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 142 results.

    51.
    Description of electrophysical characteristics for MIS-structures with CdHgTe-based quantum wells under the 8–300 K A. V. Voitsekhovskii, D. I. Gorn

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Gorn, Dmitriy Igorevich | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    52.
    Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well I. I. Izhnin, E. I. Fitsych, S. N. Nesmelov [et.al.]

    by Izhnin, Igor I | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Voytsekhovskiy, Alexander V | Gorn, Dmitriy Igorevich | Fitsych, Olena I | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: The International research and practice Conference “Nanotechnology and Nanomaterials” (NANO-2015) : abstracts book of participants of the International Summer School and International research and practice Conference, 26-29 August 2015Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    53.
    Electron concentration in the near-surface graded-gap layer of MBE n-Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.40) determined from the capacitance measurements of MIS-structures A. V. Voytsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et.al.]

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Dzyadukh, Stanislav M | Grigoryev, Denis V | Lyapunov, D. V | Nesmelov, Sergey N.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    54.
    Influence of As+ Ion implantation on properties of MBE HgCdTe near-surface layer characterized by metal–insulator–semiconductor techniques A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et al.]

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Varavin, Vasilii S | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Sidorov, Georgiy Yu | Yakushev, Maxim V | Marin, Denis V.

    Source: Journal of electronic materialsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    55.
    Электрофизические свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2-Si3N4 С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух

    by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович.

    Source: Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-9). Т. 2 : международная конференция : посвящается 50-летию Кемеровского государственного университета, 22-25 сентября 2004 года : докладыMaterial type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    56.
    Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2-Si3N4 А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, Н. А. Кульчицкий

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Кульчицкий, Николай Александрович.

    Source: Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники) : материалы X Международной научно-технической конференции (Москва, ОАО ЦНИТИ "Техномаш", 2004, 9-11 сентября). Тонкие пленки в электронике : материалы XVI Международного симпозиума (Москва, ОАО ЦНИТИ "Техномаш", 2004, 9-11 сентября)Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    57.
    Исследование электрических характеристик GaAs–Ga2O3-структур А. Н. Зарубин, В. М. Калыгина, Ю. С. Петрова и др.

    by Калыгина, Вера Михайловна | Петрова, Юлианна Сергеевна | Цупий, Светлана Юрьевна | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Яскевич, Тамара Михайловна | Зарубин, Андрей Николаевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    58.
    Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного КРТ МЛЭ А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович.

    Source: XXII Международная научно-техническая конференция, школа молодых специалистов и выставка по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 22-25 мая 2012, Москва, Россия : труды конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    59.
    Диагностика многослойных структур на основе органических полупроводников при помощи методов спектроскопии адмиттанса и переходной электролюминесценции А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.]

    by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Коханенко, Андрей Павлович | Копылова, Татьяна Николаевна | Дегтяренко, Константин Михайлович | Войцеховский, Александр Васильевич.

    Source: XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    60.
    Electrical properties of n‑HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum wells I. I. Izhnin, I. I. Syvorotka, A. V. Voytsekhovskiy [et al.]

    by Syvorotka, I. I | Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Izhnin, Igor I.

    Source: Applied nanoscienceMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    61.
    Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ N-HgCdTe в конфигурации nBνN методом спектроскопии адмиттанса А. В. Войцеховский, С. М. Дзядух, Д. И. Горн [и др.]

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Горн, Дмитрий Игоревич | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич.

    Source: XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-27 мая 2022 г., Москва, Россия : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Investigation of characteristics of mis structures based on MBE n-HgCdTe NBνN barrier structures by admittance spectroscopy.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    62.
    Фотодиоды на основе структур Ga2O3/n-GaAs, способные работать в автономном режиме В. М. Калыгина, О. С. Киселева, Б. О. Кушнарев [и др.]

    by Калыгина, Вера Михайловна | Киселева, Ольга Сергеевна | Кушнарев, Богдан Олегович | Олейник, Владимир Леонидович | Петрова, Юлианна Сергеевна | Цымбалов, Александр Вячеславович.

    Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Self-powered photo diodes based on Ga2O3/n-GaAs structures.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    63.
    Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенным in situ CdTe в качестве диэлектрика А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.]

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Сидоров, Юрий Георгиевич | Васильев, Владимир Васильевич физик | Якушев, Максим Витальевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    64.
    Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.]

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич | Марин, Денис Викторович.

    Source: Письма в журнал технической физикиMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    65.
    Aдмиттанс МДП-структур на основе nBn-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3−5 µm А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.]

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич.

    Source: Письма в журнал технической физикиMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    66.
    Электрофизические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ КРТ после ионной имплантации бора А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.

    by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Ижнин, Игорь Иванович | Савицкий, Григорий Владимирович | Бончик, Александр Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    67.
    Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на электрофизические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального p-Hg0,78Cd0,22Te С. Н. Несмелов, А. В. Войцеховский, С. М. Дзядух

    by Несмелов, Сергей Николаевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    68.
    Электрофизические характеристики МДП-структур на основе пентацена с диэлектриком SiO2 В. А. Новиков, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов [и др.]

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Копылова, Татьяна Николаевна | Дегтяренко, Константин Михайлович | Черников, Евгений Викторович | Калыгина, Вера Михайловна | Новиков, Вадим Александрович.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    69.
    Электрофизические свойства МДП-структур на основе пентацена в широком диапазоне температур А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.]

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Копылова, Татьяна Николаевна | Дегтяренко, Константин Михайлович.

    Source: Школа молодых ученых "Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем", 14-16 декабря, Новосибирск, Интернет-конференция Zoom: 886 6967 7489 : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    70.
    Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23) А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.

    by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Сидоров, Юрий Георгиевич | Якушев, Максим Витальевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    71.
    Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов

    by Дзядух, Станислав Михайлович | Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    72.
    Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) в режиме сильной инверсии А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    73.
    Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с пассивирующими слоями SiO2/Si3N4 и Al2O3 А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Сидоров, Георгий Юрьевич | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Несмелов, Сергей Николаевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    74.
    Многоэлементные фотоприемные устройства и приборы на основе МДП-структур на InAs Г. Л. Курышев

    by Курышев, Георгий Леонидович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    75.
    Влияние условий осаждения LP CVD Sio2 на ЭФП МДП-структур на основе InAs С. Ф. Девятова, Л. А. Семенова, А. В. Медведев, З. В. Панова

    by Девятова, Светлана Федоровна | Семенова, Л. А | Медведев, А. В | Панова, Зоя Васильевна.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    76.
    Электрические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович.

    Source: Высокие технологии в промышленности России : (материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники) : материалы XIV Международной научно-технической конференции (Москва, ЦНИТИ "ТЕХНОМАШ", 2008, 11-13 сентября). Тонкие пленки в электронике : материалы XXI Международного симпозиума (Москва, ОАО ЦНИТИ "Техномаш", 2008, 11-13 сентября)Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    77.
    Влияние дополнительного слоя CdTe на характеристики МДП КРТ с варизонными слоями И. В. Суханов

    by Суханов, Иван Вячеславович.

    Source: Труды Пятнадцатой Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-19 мая 2018 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    78.
    Admittance of pentacene-based MIS-structures with two-layer insulator SiO2-Al2O3 A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et al.]

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Kopylova, Tatyana N | Degtyarenko, Konstantin M.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    79.
    Admittance of MIS structures based on nBn systems of epitaxial HgCdTe for detection in the 3–5 μm spectral range A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et al.]

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Sidorov, Georgiy Yu | Yakushev, Maxim V.

    Source: Technical physics lettersMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    80.
    The effect of As+ Ion implantation and annealing on the electrical properties of near-surface layers in graded-gap n-Hg0.78Cd0.22Te films A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et al.]

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Varavin, Vasilii S | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Sidorov, Georgiy Yu | Yakushev, Maxim V | Marin, Denis V.

    Source: Technical physics lettersMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    81.
    Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0,22—0,23) А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Кузьмин, Валерий Давыдович | Ремесник, Владимир Григорьевич | Сидоров, Юрий Георгиевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Прикладная физикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    82.
    Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, c неоднородным распределением состава А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техникиMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    83.
    Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на емкостные характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Успехи прикладной физикиMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    84.
    Electro-physical characteristics of MIS structures with HgTe-based single quantum wells S. Dzyadukh, S. Nesmelov, A. Voytsekhovskiy, D. Gorn

    by Dzyadukh, Stanislav M | Voytsekhovskiy, Alexander V | Gorn, Dmitriy Igorevich | Nesmelov, Sergey N.

    Source: Journal of Physics: Conference SeriesMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    85.
    Investigation of admittance for CdHgTe-based MIS-structures with single quantum wells under the wide temperature range (8-200) K A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh, D. I. Gorn

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Dzyadukh, Stanislav M | Gorn, Dmitriy Igorevich | Nesmelov, Sergey N | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : 25-я Международная Крымская конференция (КрыМиКо'2015), 6-12 сентября 2015 г., Севастополь, Крым, Россия : материалы конференции : в 2 т. Т. 2Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    86.
    Особенности моделирования частотных зависимостей адмиттанса МДП-структуры на основе органической пленки P3HT с диэлектрическим слоем Al2O3 А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    87.
    Исследование дифференциального сопротивления МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями для ИК-детекторов А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, С. Н. Несмелов [и др.]

    by Кульчицкий, Николай Александрович | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Сидоров, Георгий Юрьевич.

    Source: XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференцииMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Investigation of differential resistance of MIS structures based on MBE n-Hg0.78Cd0.22Te with near-surface graded-gap layers for IR detectors.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    88.
    Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-HgCdTe (x = 0,22—0,23 и 0,31—0,32) в широком диапазоне температур А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Кузьмин, Валерий Давыдович | Ремесник, Владимир Григорьевич | Сидоров, Юрий Георгиевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Прикладная физикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    89.
    Модификация поверхности твердых растворов CdхHg1-хTe рентгеновским излучением В. Г. Средин, А. В. Войцеховский, О. Б. Ананьин и др.

    by Средин, Виктор Геннадиевич | Ананьин, Олег Борисович | Мелехов, Андрей Петрович | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Войцеховский, Александр Васильевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    90.
    Влияние освещения на адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Кульчицкий, Николай Александрович.

    Source: VI Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудовMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Effect of illumination on admittance of MIS structure based on graded-gap MBE HgCdTe.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    91.
    Conduction mechanism of metal-TiO2–Si structures V. M. Kalygina, I. S. Egorova, I. A. Prudaev [et.al.]

    by Kalygina, Vera M | Prudaev, Ilya A | Tolbanov, Oleg P | Atuchin, Victor V | Egorova, I. S.

    Source: Chinese journal of physicsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    92.
    Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, Д. И. Горн [и др.]

    by Дзядух, Станислав Михайлович | Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Сидоров, Георгий Юрьевич.

    Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференцииMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    93.
    Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0,29–0,31) с резкими неоднородностями по составу А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.]

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Сидоров, Юрий Георгиевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    94.
    Адмиттанс структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе HgCdTe с приповерхностными широкозонными слоями, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Сидоров, Юрий Георгиевич | Сидоров, Георгий Юрьевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Фотоника-2015 : Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 12-16 октября 2015 г., Новосибирск : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    95.
    Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного Hg1-хCdхTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs и Si А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Сидоров, Георгий Юрьевич | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Несмелов, Сергей Николаевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    96.
    Моделирование вольт-фарадных характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe при неоднородном распределении состава и легирующей примеси А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович.

    Source: Прикладная физикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Modeling of the capacitance-voltage characteristics of MIS structures based on MBE HgCdTe at inhomogeneous distribution of composition and dopant.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    97.
    Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, С. Н. Несмелов [и др.]

    by Кульчицкий, Николай Александрович | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Сидоров, Георгий Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич.

    Source: XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференцииMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: The effect of optical radiation on the admittance of MIS structures based on MBE n-Hg0.78Cd0.22Te with near-surface graded-gap layers.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    98.
    Capacitive properties of metal-insulator-semiconductor systems based on an HgCdTe nBn structure grown by molecular beam epitaxy A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et al.]

    by Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Sidorov, Georgiy Yu | Yakushev, Maxim V | Voytsekhovskiy, Alexander V.

    Source: Journal of communications technology and electronicsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    99.
    Фотоэлектрические свойства неоднородных МДП-структур А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич.

    Source: Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-9). Т. 1 : международная конференция : посвящается 50-летию Кемеровского государственного университета, 22-25 сентября 2004 года : докладыMaterial type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    100.
    Influence of plasma volume discharge in atmospheric-pressure air on the admittance of MIS structures based on MBE p-HgCdTe A. V. Voytsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et.al.]

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Dzyadukh, Stanislav M | Grigoryev, Denis V | Tarasenko, Viktor Fedotovich | Shulepov, Mikhail A | Nesmelov, Sergey N | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: 12th International Conference "Gas Discharge Plasmas and Their Applications" GDP 2015, September 6-11, 2015, Tomsk, Russia : AbstractsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :