Измерение времени жизни носителей заряда в SI-GaAs:Cr и EL2-GaAs методом pump-probe-терагерцовой спектроскопии И. И. Колесникова, Д. А. Кобцев, Р. А. Редькин [и др.]
Material type:
ArticleSubject(s): полупроводниковые кристаллы легированные | неравновесные носители заряда | время жизни | терагерцовая спектроскопия | метод накачки-зондирования | арсенид галлияGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 63, № 4. С. 16-21Abstract: Проведено исследование временной динамики релаксации неравновесной концентрации носителей заряда в полупроводниковых кристаллах SI-GaAs:Cr и EL2-GaAs методом pump-probe-терагерцовой спектроскопии. Проанализированы полученные экспериментальные данные с учетом механизмов поверхностной и объемной рекомбинации Шокли - Рида - Холла, излучательной рекомбинации, оже-рекомбинации «зона - зона» и через ловушки. Установлено, что при уровнях концентрации неравновесных носителей заряда, возникающих при возбуждении образцов лазерным излучением с длительностью импульса 35 фс, энергией в импульсе 0.1 мДж на центральной длине волны 791 нм, существенное влияние оказывают механизмы оже-рекомбинации. Механизмы оже-рекомбинации вносят решающий вклад в скорость рекомбинации неравновесных носителей заряда при уровнях инжекции выше 2·1018 см-3 для SI-GaAs:Cr и выше 1018 см-3 для EL2-GaAs. При более низких концентрациях основным механизмом рекомбинации является объемная и поверхностная рекомбинация Шокли - Рида - Холла.
Библиогр.: 18 назв.
Ограниченный доступ
Проведено исследование временной динамики релаксации неравновесной концентрации носителей заряда в полупроводниковых кристаллах SI-GaAs:Cr и EL2-GaAs методом pump-probe-терагерцовой спектроскопии. Проанализированы полученные экспериментальные данные с учетом механизмов поверхностной и объемной рекомбинации Шокли - Рида - Холла, излучательной рекомбинации, оже-рекомбинации «зона - зона» и через ловушки. Установлено, что при уровнях концентрации неравновесных носителей заряда, возникающих при возбуждении образцов лазерным излучением с длительностью импульса 35 фс, энергией в импульсе 0.1 мДж на центральной длине волны 791 нм, существенное влияние оказывают механизмы оже-рекомбинации. Механизмы оже-рекомбинации вносят решающий вклад в скорость рекомбинации неравновесных носителей заряда при уровнях инжекции выше 2·1018 см-3 для SI-GaAs:Cr и выше 1018 см-3 для EL2-GaAs. При более низких концентрациях основным механизмом рекомбинации является объемная и поверхностная рекомбинация Шокли - Рида - Холла.
There are no comments on this title.