Численное моделирование униполярных барьерных фоточувствительных структур на основе МЛЭ n-HgCdTe А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, С. М. Дзядух [и др.]
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Other title: Numerical simulation of unipolar photo-sensitive barrier structures based on MBE n-HgCdTe [Parallel title]Subject(s): численное моделирование | барьерная структура | молекулярно-лучевая эпитаксия | униполярная структураGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 9. С. 5-16Abstract: Представлены описание методики и результаты моделирования энергетической диаграммы, а также электрофизических и фотоэлектрических характеристик униполярных барьерных структур на основе гетероэпитаксиальных структур HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Проведено сопоставление проведенных ранее измерений вольт-амперных характеристик с результатами моделирования, которое демонстрирует, что предложенная модель адекватно описывает характеристики реальных экспериментальных образцов, выращенных методом МЛЭ.
Библиогр.: 23 назв.
Ограниченный доступ
Представлены описание методики и результаты моделирования энергетической диаграммы, а также электрофизических и фотоэлектрических характеристик униполярных барьерных структур на основе гетероэпитаксиальных структур HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Проведено сопоставление проведенных ранее измерений вольт-амперных характеристик с результатами моделирования, которое демонстрирует, что предложенная модель адекватно описывает характеристики реальных экспериментальных образцов, выращенных методом МЛЭ.
There are no comments on this title.