Normal view
MARC view
Interface induced quantized spin Hall response in three-dimensional topological insulator/normal insulator heterostructures (Record no. 450043)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 02341nab a2200325 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | vtls000652077 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20230319214512.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 190410|2018 ne s a eng dd |
| 024 7# - Прочие стандартные номера | |
| Стандартный номер | 10.1016/j.jmmm.2017.10.106 |
| Источник номера | doi |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | to000652077 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Interface induced quantized spin Hall response in three-dimensional topological insulator/normal insulator heterostructures |
| Ответственность | V. N. Men'shov, I. A. Shvets, V. V. Tugushev, E. V. Chulkov |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 24 назв. |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | We report analytic investigation of the electronic properties of heterostructures comprised by films of three-dimensional topological insulator (TI) and normal insulator (NI) revealing strong interface and size effects on their spin transport characteristics. Imposing at the TI/NI interfaces the natural boundary conditions within a continual scheme, we show that the intrinsic spin Hall response of the NI/TI/NI trilayer can be controlled by tuning the interface potential (IP) together with the TI film thickness. We predict a series of interface induced quantum transitions between topological insulating phase and trivial band insulator phase. We calculate the phase diagram of the NI/TI/NI trilayer and establish an appropriate range of the IP strength and the TI film thickness to realize the regime of quantum spin Hall effect. Our results can provide a useful guide in choosing the relevant material parameters to facilitate the detection of quantum spin Hall conductivity in the TI/NI heterostructures. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | топологические изоляторы |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | Холла спиновый эффект |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | гетероструктуры |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 879358 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Shvets, I. A. |
| 9 (RLIN) | 492247 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Tugushev, V. V. |
| 9 (RLIN) | 167673 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Chulkov, Evgueni V. |
| 9 (RLIN) | 89119 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Menshov, V. N. |
| 9 (RLIN) | 101643 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Journal of magnetism and magnetic materials |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Vol. 459. P. 231-235 |
| ISSN | 0304-8853 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 4# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000652077">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000652077</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 450043 |
No items available.