Normal view
MARC view
Адмиттанс МДП-структур на основе HgCdTe с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3 (Record no. 435032)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 03793nab a2200409 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | vtls000626213 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20240424131147.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 190526|2017 ru s c rus d |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | to000626213 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Адмиттанс МДП-структур на основе HgCdTe с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3 |
| Ответственность | С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов и др. |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 15 назв. |
| 506 ## - Ограничения на доступ к материалу | |
| Ограничения доступа | Доступ в сети ТГУ |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | Экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе n ( p ) - Hg1-x Cd x Te (при x от 0.22 до 0.40) с диэлектриками SiO2/Si3N4, Al2O3 и CdTe/Al2O3 при температуре 77 К. Выращивание в процессе эпитаксии промежуточного слоя CdTe приводит при малом диапазоне изменения напряжения к практически полному исчезновению гистерезиса электрофизических характеристик МДП-структур на основе варизонного n -HgCdTe. При большом диапазоне изменения напряжения гистерезис вольт-фарадных характеристик для МДП-структур на основе n -HgCdTe с диэлектриком CdTe/Al2O3 появляется, но механизм гистерезиса отличается от такового для однослойного диэлектрика Al2O3. Для МДП-структур на основе p -HgCdTe введение дополнительного слоя CdTe не приводит к значительному уменьшению гистерезисных явлений, что может быть связано с деградацией свойств границы раздела при выходе ртути из пленки в результате низкотемпературного отжига, изменяющего тип проводимости полупроводника. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | МДП-структуры |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | электрофизические исследования |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | адмиттанс |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | молекулярно-лучевая эпитаксия |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | двухслойные диэлектрики |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 879358 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Дзядух, Станислав Михайлович |
| 9 (RLIN) | 80402 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Несмелов, Сергей Николаевич |
| 9 (RLIN) | 65140 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Сидоров, Георгий Юрьевич |
| 9 (RLIN) | 135906 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Варавин, Василий Семенович |
| 9 (RLIN) | 90984 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Васильев, Владимир Васильевич |
| Титул (звание) | физик |
| 9 (RLIN) | 95955 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Дворецкий, Сергей Алексеевич |
| 9 (RLIN) | 90983 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Михайлов, Николай Николаевич |
| Титул (звание) | физик |
| 9 (RLIN) | 90964 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Якушев, Максим Витальевич |
| 9 (RLIN) | 91994 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Войцеховский, Александр Васильевич |
| 9 (RLIN) | 64789 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Известия высших учебных заведений. Физика |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 60, № 11. С. 3-12 |
| ISSN | 0021-3411 |
| Контрольный № источника | 0026-80960 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 7# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000626213">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000626213</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 435032 |
No items available.