Normal view
MARC view
Capacitance–voltage characteristics of metal–insulator–semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe with various insulators (Record no. 318500)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 01866nab a2200337 i 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | vtls000445880 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20230319191115.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 181202 2012 ne s a eng d |
| 024 7# - Прочие стандартные номера | |
| Стандартный номер | 10.1016/j.tsf.2012.08.024 |
| Источник номера | doi |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | to000445880 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 100 1# - Автор | |
| Автор | Voytsekhovskiy, Alexander V. |
| 9 (RLIN) | 91706 |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Capacitance–voltage characteristics of metal–insulator–semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe with various insulators |
| Ответственность | A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 41 назв. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | металл-диэлектрик-полупроводник, структура |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | варизонные слои |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | молекулярно-лучевая эпитаксия |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | кадмиевый теллурид ртути |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 879358 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Nesmelov, Sergey N. |
| 9 (RLIN) | 101528 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Dzyadukh, Stanislav M. |
| 9 (RLIN) | 95711 |
| 710 2# - Другие организации | |
| Организация/юрисдикция | Томский государственный университет |
| Другие уровни | Радиофизический факультет |
| -- | Кафедра квантовой электроники и фотоники |
| 9 (RLIN) | 74990 |
| 710 2# - Другие организации | |
| Организация/юрисдикция | Томский государственный университет |
| Другие уровни | Сибирский физико-технический институт |
| -- | Научные подразделения СФТИ |
| 9 (RLIN) | 106941 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Thin solid films |
| Место и дата издания | 2012 |
| Прочая информация | Vol. 522. P. 261-266 |
| ISSN | 0040-6090 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 7# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000445880">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000445880</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 318500 |
No items available.