Normal view
MARC view
Properties of arsenic-implanted Hg1-xCdxTe MBE films (Record no. 249490)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 02374nab a2200433 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | vtls000577241 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20230319180227.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 170608|2017 fr s a eng d |
| 024 7# - Прочие стандартные номера | |
| Стандартный номер | 10.1051/epjconf/201713301001 |
| Источник номера | doi |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | to000577241 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Properties of arsenic-implanted Hg1-xCdxTe MBE films |
| Ответственность | I. I. Izhnin, A. V. Voitsekhovskiі, A. G. Korotaev [et.al.] |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 11 назв. |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | Defect structure of arsenic-implanted Hg1-xCdxTe films (x=0.23–0.30) grown with molecular-beam epitaxy on Si substrates was investigated with the use of optical methods and by studying the electrical properties of the films. The structural perfection of the films remained higher after implantation with more energetic arsenic ions (350 keV vs 190 keV). 100%-activation of implanted ions as a result of post-implantation annealing was achieved, as well as the effective removal of radiation-induced donor defects. In some samples, however, activation of acceptor-like defects not related to mercury vacancies as a result of annealing was observed, possibly related to the effect of the substrate. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | пленки |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | акцепторные дефекты |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | молекулярно-лучевая эпитаксия |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | электрические свойства |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 879358 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Izhnin, Igor I. |
| 9 (RLIN) | 102905 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Korotaev, Alexander G. |
| 9 (RLIN) | 106335 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Fitsych, Olena I. |
| 9 (RLIN) | 102906 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Bonchyk, A. Yu. |
| 9 (RLIN) | 100966 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Savytskyy, Hrygory V. |
| 9 (RLIN) | 102907 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Mynbaev, Karim D. |
| 9 (RLIN) | 111823 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Varavin, Vasilii S. |
| 9 (RLIN) | 102908 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Dvoretsky, Sergei A. |
| 9 (RLIN) | 101527 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Yakushev, Maxim V. |
| 9 (RLIN) | 102909 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Voytsekhovskiy, Alexander V. |
| 9 (RLIN) | 91706 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Jakiela, Rafal |
| 9 (RLIN) | 338710 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Trzyna, Malgorzata |
| 9 (RLIN) | 338711 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | EPJ Web of Conferences |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Vol. 133. P. 01001 (1-4) |
| ISSN | 2100-014X |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 7# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000577241">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000577241</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 249490 |
No items available.