| 000 | 01804nam a2200385 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | vtls000096194 | ||
| 003 | RU-ToGU | ||
| 005 | 20210921210343.0 | ||
| 008 | 010328s1977 ru a f b 001 0 rus d | ||
| 035 | _a0099-54760 | ||
| 040 |
_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU _ePSBO |
||
| 041 | 1 |
_arus _heng |
|
| 080 | _a537.311.322:548.4 | ||
| 100 | 1 |
_aМилнс, А. Г. _9187256 |
|
| 245 | 1 | 0 |
_aПримеси с глубокими уровнями в полупроводниках _cА. Г. Милнс; Пер. с англ. Г. С. Пекаря; Под ред. М. К. Шейнкмана |
| 246 | 1 | 1 | _aDeep impurities in semiconductors |
| 260 |
_aМ. _bМир _c1977 |
||
| 300 |
_a562 с. _bил. |
||
| 504 | _aБиблиогр.: с. 448-546 | ||
| 504 | _aПредм. указ.: с. 547-558 | ||
| 653 | _aполупроводники | ||
| 653 | _aпримеси в полупроводниках | ||
| 653 | _aнеравновесные процессы | ||
| 653 | _aпроводимость примесных зон | ||
| 653 | _aпримесные зоны полупроводников | ||
| 653 | _aэнергетические уровни | ||
| 653 | _aпримесные зоны кремниевые | ||
| 653 | _aпримесные зоны германиевые | ||
| 653 | _aрекомбинация примесных зон | ||
| 653 | _aфотопроводимость примесных зон | ||
| 653 | _aпереходные процессы примесных зон | ||
| 653 | _aионизация ударная примесных зон | ||
| 852 | 4 |
_aRU-ToGU _h537 _iМ604 _nru |
|
| 999 | _c95799 | ||