000			02509nab a2200385 c 4500
001			vtls000661233
003			RU-ToGU
005			20240311132557.0
007			cr |
008			190821|2018 ru s c rus d
035			_ato000661233
040			_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU
245	1	0	_aЭлектрофизические и физико-химические свойства омических контактов для соединений III-N _cВ. Н. Брудный, М. Д. Вилисова, Л. Э. Великовский [и др.]
504			_aБиблиогр.: 53 назв.
506			_aОграниченный доступ
520	3		_aПроведен анализ экспериментальных данных по исследованию омических контактов на основе однослойных и многослойных металлизаций к GaN и твердым растворам (In, Al, Ga)N. Экспериментально исследованы металлизации Ti/Al/Mo/Au и Ti/Al/Mo/W/Au к нелегированному GaN и влияние обработки поверхности пластин GaN перед металлизацией, а также режима отжига контакта.
653			_aнитрид галлия
653			_aметаллизация
653			_aомические контакты
653			_aзарядовая нейтральность
653			_aобработка поверхности
653			_aфизико-химические свойства
653			_aэлектрофизические свойства
655		4	_aстатьи в журналах _9879358
700	1		_aВилисова, Мария Дмитриевна _982324
700	1		_aВеликовский, Леонид Эдуардович _9498152
700	1		_aСим, Павел Евгеньевич _9498208
700	1		_aБрудный, Павел Александрович _9229200
700	1		_aБрудный, Валентин Натанович _972071
773	0		_tИзвестия высших учебных заведений. Физика _d2018 _gТ. 61, № 8. С. 73-78 _x0021-3411 _w0026-80960
852	4		_aRU-ToGU
856	4		_uhttp://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000661233
908			_aстатья
999			_c459725