000 01759nab a2200373 c 4500
001 vtls000487152
003 RU-ToGU
005 20230319195540.0
007 cr |
008 181202|2014 xxu s a eng d
024 7 _a10.1063/1.4867778
_2doi
035 _ato000487152
040 _aRU-ToGU
_brus
_cRU-ToGU
245 1 4 _aThe Ir-n-GaAs Schottky barrier contacts made by electrochemical deposition
_cV. G. Bozhkov, A. V. Shmargunov, T. P. Bekezina [et.al.]
504 _aБиблиогр.: 41 назв.
506 _aОграниченный доступ
653 _aэлектрохимическое осаждение
653 _aШоттки барьер
653 _aарсенид галлия
653 _aиридий
655 4 _aстатьи в журналах
_9879358
700 1 _aShmargunov, A. V.
_9418514
700 1 _aBekezina, T. P.
_9418515
700 1 _aTorkhov, Nikolay A.
_9418516
700 1 _aNovikov, Vladimir A.
_990185
700 1 _aBozhkov, V. G.
_9418517
710 2 _aТомский государственный университет
_bХимический факультет
_bНаучные подразделения ХФ
_9109846
710 2 _aТомский государственный университет
_bНаучное управление
_bЛаборатории НУ
_9113360
773 0 _tJournal of applied physics
_d2014
_gVol. 115, № 22. P. 224505-1-224505-8
_x0021-8979
852 4 _aRU-ToGU
856 7 _uhttp://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000487152
908 _aстатья
999 _c359823