000 01938nab a2200373 i 4500
001 vtls000431799
005 20240311132554.0
007 cr |
008 170612 2012 ru s c rus d
035 _ato000431799
040 _aRU-ToGU
_brus
_cRU-ToGU
245 1 0 _aЭлектронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN
_cВ. Н. Брудный, С. С. Веревкин, А. В. Говорков и др.
504 _aБиблиогр.: 19 назв.
653 _aнитрид галлия
653 _aэлектронное облучение
653 _aэпитаксиальные пленки
655 4 _aстатьи в журналах
_9879358
700 1 _aВеревкин, Сергей Сергеевич
_9180596
700 _aГоворков, Анатолий Васильевич
_9680128
700 1 _aЕрмаков, В. С.
_9180597
700 1 _aКолин, Николай Георгиевич
_9180598
700 1 _aКорулин, Алексей Викторович
_9180599
700 1 _aПоляков, Александр Яковлевич
_9680126
700 1 _aСмирнов, Н. Б.
_9379320
700 1 _aБрудный, Валентин Натанович
_972071
710 2 _aТомский государственный университет
_bФизический факультет
_bКафедра физики полупроводников
_983626
773 0 _tФизика и техника полупроводников
_d2012
_gТ. 46, вып. 4. С. 450-456
_x0015-3222
_w0028-44860
852 4 _aRU-ToGU
856 7 _uhttp://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000431799
908 _aстатья
942 _2udc
999 _c317518