000 | 01938nab a2200373 i 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | vtls000431799 | ||
005 | 20240311132554.0 | ||
007 | cr | | ||
008 | 170612 2012 ru s c rus d | ||
035 | _ato000431799 | ||
040 |
_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU |
||
245 | 1 | 0 |
_aЭлектронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN _cВ. Н. Брудный, С. С. Веревкин, А. В. Говорков и др. |
504 | _aБиблиогр.: 19 назв. | ||
653 | _aнитрид галлия | ||
653 | _aэлектронное облучение | ||
653 | _aэпитаксиальные пленки | ||
655 | 4 |
_aстатьи в журналах _9879358 |
|
700 | 1 |
_aВеревкин, Сергей Сергеевич _9180596 |
|
700 |
_aГоворков, Анатолий Васильевич _9680128 |
||
700 | 1 |
_aЕрмаков, В. С. _9180597 |
|
700 | 1 |
_aКолин, Николай Георгиевич _9180598 |
|
700 | 1 |
_aКорулин, Алексей Викторович _9180599 |
|
700 | 1 |
_aПоляков, Александр Яковлевич _9680126 |
|
700 | 1 |
_aСмирнов, Н. Б. _9379320 |
|
700 | 1 |
_aБрудный, Валентин Натанович _972071 |
|
710 | 2 |
_aТомский государственный университет _bФизический факультет _bКафедра физики полупроводников _983626 |
|
773 | 0 |
_tФизика и техника полупроводников _d2012 _gТ. 46, вып. 4. С. 450-456 _x0015-3222 _w0028-44860 |
|
852 | 4 | _aRU-ToGU | |
856 | 7 | _uhttp://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000431799 | |
908 | _aстатья | ||
942 | _2udc | ||
999 | _c317518 |